提出了一种检测光刻机投影物镜密集线焦深(DOF)的新技术。该技术将具有精细结构的测量标记曝光在硅片上，硅片显影后，由光学对准系统获取曝光在硅片上的测量标记图形的对准位置信息，根据对准位置信息计算得到视场中各点的焦深。与传统的FEM焦深测试技术相比，该技术具有测量精度高、速度快、成本低、操作简单等优点，在光刻工艺参数优化及光刻设备性能评价等方面有很好的应用前景。