我们制造了一种新型的多Kong硅光子器件，该器件是一种特殊的多层多Kong硅，包括两个不同的单层多Kong硅和一个多Kong硅布拉格镜，并研究了多Kong硅布拉格镜的结构对量子点（QDs）荧光强度的影响）渗透到多Kong硅器件中，我们使用的CdSe / ZnS QD分别在605 nm和625 nm处发射。通过将多Kong硅样品浸入QDs溶液中，QDs成功渗透到在荧光峰处或荧光峰以上具有高反射带的多Kong硅器件中。实验结果表明，当荧光峰落入多Kong硅器件的高反射带时，可以提高渗入多Kong硅器