国外巨磁阻抗传感器检测电路技术的发展动态.pdf,基于非晶态合金材料巨磁阻抗（GMI）效应和非对称巨磁阻抗（AGMI）效应磁传感器是近20年来磁传感器技术领域的研究热点之一。一些国外学者认为非晶态合金材料适合于制作能同时满足分辨力高、响应速度快、功耗低等要求的微磁传感器。然而，迄今为止，国外研发的绝大多数高分辨力GMI磁传感器仍停留在原理样机阶段，其主要技术指标甚至低于商品化各向异性磁阻（AMR）和巨磁电阻（GMR）磁传感器。简要叙述了非晶态合金材料的GMI效应和退火处理对GMI效应的影响，重

在FeCoSiB非晶丝材料物理特性基础上,利用Fourier解析法对非晶丝的巨磁阻抗效应展开分析,对它的数学模型进行实验验证;进而探讨基于非晶丝传感元件的高灵敏度微磁物理场探测技术及电路实现途径,并以CPLD芯片为核心设计信号处理电路。实验结果证明:传感器在0～60μT的量程内具有较好的线性度,其分辨率可达0.1μT。这就解决了大多数磁传感器对地磁场、生物磁场等微弱物理量无法精确探测的缺陷,从而拓宽了磁传感器在微电子探测领域的适用范围。

在分析FeCoS iB材料的非晶丝物理特性和巨磁阻抗效应的基础上,通过对现有磁传感器电路具体形式和算法的改进,设计了基于非晶丝巨磁阻抗效应和谐振桥路的新型微磁传感器探测电路,保证了系统的高灵敏度、快速响应及低功耗等特性。同时,基于巨磁阻抗理论,提出了用非晶丝微磁传感器取代普通磁性元件,并采用DSP+CPLD进行数据处理的方法,确保电路的实时性,为今后微磁近感技术在电子探测和定位方面的改善与提高提供了技术支撑。