我们基于反向pn结中的缺陷辅助子带隙雪崩机制，通过实验证明了首款具有40 Gb / s操作速度的全硅微环光电探测器。 一种新颖的之字形pn结在雪崩模式下以8 V电压提供48 mA / W的高响应性，已证明具有2 x 10（17）cm（-3）的低掺杂浓度。 通过优化的工作波长，实验获得了类似于20 GHz的3-dB光电响应和20-40 Gb / s的高速光电检测，在全硅超高容量光学互连的应用中显示出巨大的潜力。