介绍了一种基于衬底驱动技术的低电压低功耗运算放大器。输入级采用衬底驱动MOSFET，有效避开阈值电压限制；输出采用改进前馈式AB类输出级，确保了输出级晶体管的电流能够得到精确控制，使输出摆幅达到轨至轨。整个电路采用PTM标准0.18 μm CMOS工艺参数进行设计，用Hspice进行仿真。模拟结果显示，测得直流开环增益为62.1 dB，单位增益带宽为2.13 MHz，相位裕度52°，电路在0.8 V低电压下正常运行，电路平均功耗只有65.9 μW。

在进行低电压低功耗模拟电路设计的众多技术中，衬底驱动（BD）技术由于设计简单和使用传统MOS工艺实现的特点，而被很多的设计所采用。本文利用这一原理,在标准CMOS工艺和±0.7 V电源电压前提下设计低电压低功耗标准模块,最后在TSMC0.25 μm CMOS工艺模型下，用Spice模拟器验证了模拟仿真结果。