文中针对高压节能应用领域，开发了一种基于超薄外延技术的双扩散BCD兼容工艺，实现了一种新型D-RESURF结构的700V LDMOS设计。结构中N型外延的厚度减小为4．5μm，漂移区长度缩减至70μm，使得芯片面积和制造成本大幅减小。并通过仿真设计，优化了器件结构的表面电场分布，使反向击穿电压达到700V的同时，使器件导通电阻降为33Ω·mm2。流片结果表明，功率管可以达到设计要求。