研究了门控时钟技术在130 nm工艺、基于高阈值标准单元库下的低功耗物理实现方法。详细阐述了多级门控时钟技术的作用机制和参数的设置方法，给出了基于门控时钟的后端实现流程，着重分析了插入门控时钟对时钟偏移的影响并提出解决方案。在中芯国际130 nm工艺下用synop sys公司的DC， IC Comp iler， PT，VCS等工具完成物理实现。在10 M时钟下，总功耗降低22. 6 % ，面积也有所减小。

摘　要:研究了门控时钟技术在130 nm工艺、基于高阈值标准单元库下的低功耗物理实现方法。详细阐述了多级门控时钟技术的作用机制和参数的设置方法，给出了基于门控时钟的后端实现流程，着重分析了插入门控时钟对时钟偏移的影响并提出解决方案。在中芯国际130 nm工艺下用synop sys公司的DC， IC Comp iler， PT，VCS等工具完成物理实现。在10 M时钟下，总功耗降低22. 6 % ，面积也有所减小。 　　集成电路工艺节点的提升带来了芯片集成度的极大提高，同时也导致了功耗的急速增加