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  1. 基于Atlas的MFIS结构器件电学性能模拟

  2. 利用Atlas器件模拟软件，对MFIS结构器件的C—V特性及记忆窗口进行模拟。讨论了应用电压、绝缘层厚度及绝缘层材料等因素，对MFIS结构器件记忆能力及稳定性的影响，为MFIS结构器件的设计和性能提高提供了参考。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：178kb
    • 提供者：weixin_38651661