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  1. 基于GaAs的太赫兹阻塞杂质带检测器的电学特性仿真

  2. 数值研究了基于GaAs的阻塞杂质带（BIB）检测器的电学特性。 考虑到GaAs阻挡层的不成熟性，给出了器件的电子密度和电场分布。 然后，通过考虑杂质带效应来模拟与温度相关的暗电流特性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-13
    • 文件大小：723kb
    • 提供者：weixin_38644688