为获得高功率的太赫兹共振隧穿器件，优化设计了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二极管材料结构，在国内首次采用MOCVD设备在半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用接触光刻工艺和空气桥搭接技术，制作了InP基共振遂穿二极管器件。并在室温下测试了器件的电学特性： 峰值电流密度＞400 kA/cm2， 峰谷电流比(PVCR)＞2.4。