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  1. TLP250功率驱动模块在IRF840 MOSFET中的应用

  2. 介绍了功率器件驱动模块TLP250的结构和使用方法,给出了其与功率MOSFET和DSP控制器接口的硬件电路图。在阐述IRF840功率MOSFET的开关特性的基础上,设计了吸收回路。最后结合直流斩波调速技术,设计了基于TMS320LF2407 DSP的直流电动机全数字闭环调速系统,并给出了实验结果。
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2009-11-04
    • 文件大小:120kb
    • 提供者:ruoxi1001
  1. 基于MOSFET 的高频大功率逆变器

  2. 基于MOSFET 的高频大功率逆变器 基于MOSFET 的高频大功率逆变器
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2010-03-30
    • 文件大小:744kb
    • 提供者:smile1everyday
  1. 基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程

  2. 详细分析基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2010-07-12
    • 文件大小:168kb
    • 提供者:y297374507
  1. 基于UCC27321高速MOSFET驱动芯片的功能与应用

  2. 基于UCC27321高速MOSFET驱动芯片的功能与应用,其中有解释和说明
  3. 所属分类:嵌入式

    • 发布日期:2011-03-05
    • 文件大小:130kb
    • 提供者:zuoshouge2009
  1. 基于PFC的单相AC-DC变换电路设计

  2. 本系统以Boost升压电路加PFC为核心,以专用PFC芯片UCC28019产生PWM信号去控制Boost电路中的MOSFET达到升压和功率因数的校正,根据输出端的自动反馈和D/A的反馈来实现双闭环的控制,从而实现电压的稳定输出和功率因数的自动校正。系统输出稳定直流电压36V,输入波形失真度小,并可通过键盘设定功率因数并自动调整,最大输出电流达到2.5A并且在电流超出2.5A时自动继电保护,以FPGA为主控制器,对整个系统进行监测,可实现输出电压、输出电流、功率因数的测量等的功能。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-05-17
    • 文件大小:852kb
    • 提供者:weixin_38743968
  1. 基于UCC3809设计的反激变换器(50W).pdf

  2. 基于UCC3809设计的反激变换器(50W)pdf,UCC3809设计反激变换器(50W)在反激变换器中,变压器实际上是一个多绕组的耦和电感,变压器磁芯提 供耦合及隔离,而电感量给出储能大小,储存在空气隙中的电感的能量如下式 E Lp·(PEAK 2 (2) 此处,E为焦耳,Lp为初级电感,单位为享利。 Ipeak为初级电流,单位安 培。当开关导通时,D1反向偏置,没有电流流过二次绕组,初级绕组中流过斜 率如下式的电流 IN(min)v Rds(on) △t P (3) 此处,V1N(min)与
  3. 所属分类:其它

  1. 基于STM32和ET1100的无刷直流电机控制器设计.pdf

  2. 利用STM32的控制性能和丰富外设,采用模块化方法设计了一款基于STM32ZET6单片机和ET1100专用以太网芯片的、具有工业以太网功能的无刷直流电机控制器。在设计中,以STM32ZET6作为微处理器,采用了IR2136驱动芯片及ET1100工业以太网芯片,分别实现了无刷直流电机的调速功能,以及上位机的EtherCAT通信功能。针对传统设计中SPI串行接口未能充分发挥工业以太网的优越性能的问题,设计中利用STM32ZET6特有的FSMC机制实现了EtherCAT模块的并行接口设计,使系统的实时
  3. 所属分类:其它

  1. 功率MOSFET驱动保护电路设计与应用

  2. 分析了对功率 MO S F E T器件的设计要求; 设计了基于 E XB 8 4 1 驱动模块的功率 MO S F E T驱动保护电路。该电路具有结构简单, 实用性强, 响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明, 该电路驱动能力及保护功能效果良好。
  3. 所属分类:教育

    • 发布日期:2013-01-24
    • 文件大小:150kb
    • 提供者:chenbing2013
  1. 基于DSP的开关磁阻电机调速系统设计

  2. 以TMS320LF2407型DSP为控制核心,采用H桥型功率变换器,以MOSFET为主开关器件,选用IR2110为驱动芯片,利用光电传感器检测位置信号,选择两相启动方式减小转矩脉动,用电阻采样光电隔离式电流检测法来检测反馈电流,控制策略采用启动和制动时电流斩波控制,正常工作时角度位置控制,并利用DSP的捕捉中断功能计算转速,研制设计了一套四相8/6极、3.7 kW的开关磁阻电机的调速系统。实验表明该系统运行特性良好。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-02
    • 文件大小:931kb
    • 提供者:weixin_38622983
  1. 基于UC3846的24V/24V直流隔离电源

  2. UC3846是Unitorde公司推出的电流脉宽调制芯片,该调制芯片双端输出,能直接驱动双极型功率管或场效应管(MOSFET),其主要优点是功能齐全,自动前馈补偿,强大的带载响应特性,欠压保护,软起动,终端锁机保护。外围控制电路简单,工作频率高达500kHz.
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-12
    • 文件大小:206kb
    • 提供者:weixin_38516380
  1. MOSFET高频、窄脉冲电解加工工程化电源研制

  2. 介绍一种基于MOSFET的高频、窄脉冲电解加工工程化电源研制
  3. 所属分类:嵌入式

    • 发布日期:2011-01-01
    • 文件大小:408kb
    • 提供者:jiusi0104
  1. 基于MOSFET的焦耳小偷电路提升电压

  2. 本文给读者介绍了基于MOSFET的焦耳小偷电路提升电压的设计方案,供读者参考。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-08-08
    • 文件大小:147kb
    • 提供者:weixin_38625164
  1. 基于MOSFET的焦耳小偷电路可提升电压

  2. 单的间歇振荡器电路可以用来借助线圈电感的属性提升电压(V=L di/dt)。这种电路如图1所示,它更常见的叫法是焦耳小偷(Joule Thief)电路。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-08-07
    • 文件大小:145kb
    • 提供者:weixin_38530846
  1. 电源技术中的基于MOSFET在电源转换领域中的设计与应用

  2. 自1976年开发出功率MOSFET以来,由于半导体工艺技术的发展,它的性能不断提高:如高压功率MOSFET其工作电压可达1000V;低导通电阻MOSFET其阻值仅lOmΩ;工作频率范围从直流到达数兆赫;保护措施越来越完善;并开发出各种贴片式功率MOSFET(如Siliconix最近开发的厚度为1.5mm"Little Foot系列)。另外,价格也不断降低,使应用越来越广泛,不少地方取代双极型晶体管。   多年来许多制造商持续推出了许多代功率MOSFET产品。30年多来,基准基本上每年都会更新。至
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-22
    • 文件大小:231kb
    • 提供者:weixin_38501826
  1. MOSFET栅漏电流噪声分析

  2. 栅漏电流大的MOS器件噪声特性的研究仍是现今研究中活跃的课题。尤其当MOS-FET缩减至直接隧穿尺度(<3nm)时,栅漏电流噪声模型显得尤为重要,并可为MOSFET可靠性表征和器件设计提供依据。文中基于MOSFET栅氧击穿效应和隧穿效应,总结了栅漏电流噪声特性,归纳了4种栅漏电流噪声模型,并对各种模型的特性和局限性进行了分析。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-20
    • 文件大小:153kb
    • 提供者:weixin_38689857
  1. 基于MOSFET控制的PWM型直流可调电源的研制

  2. 由于仪器所用电源的体积和重量通常受到限制,为此提出一种由MOSFET控制,并且由高频变压器隔离的开关电源设计方法。该电源具有体积小、重量轻、抗干扰性能强,输出电压稳定,调压范围广,电压动态响应快,性价比高,使用方便等特点。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-24
    • 文件大小:144kb
    • 提供者:weixin_38735887
  1. 基础电子中的基于MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用

  2. 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路。   在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。   1、MOS管种类和结构   MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-07
    • 文件大小:151kb
    • 提供者:weixin_38501363
  1. 电源技术中的基于MOSFET控制的PWM型直流可调电源的研制

  2. 摘    要:由于仪器所用电源的体积和重量通常受到限制,为此提出一种由MOSFET控制,并且由高频变压器隔离的开关电源设计方法。该电源具有体积小、重量轻、抗干扰性能强,输出电压稳定,调压范围广,电压动态响应快,性价比高,使用方便等特点。 关键词:PWM;MOSFET;驱动模块   引    言   功率场效应管MOSFET是一种单极型电压控制器件,它不但具有自关断能力,而且具有驱动功率小,关断速度快等优点,是目前开关电源中常用的开关器件。采用MOSFET 控制的开关电源具有体积小、重量轻、效率高
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-28
    • 文件大小:152kb
    • 提供者:weixin_38747906
  1. 基于MOSFET的半导体激光器驱动电路设计及其改进

  2. 在金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为开关配合电容充放电实现脉冲功率放大时,输出的脉冲电流受到MOSFET元件性能制约,而且由于分布参数的影响脉冲电流非常容易出现过冲。为了解决这些问题,提出了一种MOSFET互补输出电路,它能提供更快的脉冲关断时间,并且对过冲的产生起到一定抑制作用。经实验证明,改进后电路的输出得到了改善。
  3. 所属分类:其它

  1. 基于MOSFET控制的PWM型直流可调电源的研制

  2. 基于MOSFET控制的PWM型直流可调电源的研制、电子技术,开发板制作交流
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-03
    • 文件大小:175kb
    • 提供者:weixin_38691256
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