引言 　　随着商业和军事系统日益向小型化、智能化和灵活化系统的发展，对于低费用、重量轻和高性能天线的设计需求也日益增加。其中，相控阵天线作为一种智能化系统得到了很大的发展。而作为相控阵天线关键组成部分的无源移相器，由于其相对简单，故硬件结构成为一个重要的技术。传统电子移相器通常使用p2i2n 二极管、MESFETs 或者p HEMT 作为开关在不同电长度信号线之间进行切换，以得到所需的相移。这些半导体开关的损耗问题抑制了传统多位移相器向更高频率的发展。 　　随着RF MEMS 技术的出现，在

引言 　　随着商业和军事系统日益向小型化、智能化和灵活化系统的发展，对于低费用、重量轻和高性能天线的设计需求也日益增加。其中，相控阵天线作为一种智能化系统得到了很大的发展。而作为相控阵天线关键组成部分的无源移相器，由于其相对简单，故硬件结构成为一个重要的技术。传统电子移相器通常使用p2i2n 二极管、MESFETs 或者p HEMT 作为开关在不同电长度信号线之间进行切换，以得到所需的相移。这些半导体开关的损耗问题抑制了传统多位移相器向更高频率的发展。 　　随着RF MEMS 技术的出现，在