为了解决基于绝缘体上硅（SOI）的大型谐振器获得更高品质因数（Q）的困难，进行了耦合区域的设计优化。 从理论上分析了光腔的耦合长度，耦合比和品质因数之间的关系。 通过微机电系统（MEMS）Craft.io制备了具有不同耦合方式（同心，直和蝶形）的谐振器（R = 100μm）。 耦合实验结果表明，蝶形耦合的微腔可获得最窄的（3 dB）带宽，并且品质因数得到了极大的提高。 研究结果为实现大尺寸高Q谐振器及其在集成光学陀螺仪，滤波器，传感器和其他相关领域的开发和应用提供了基础。