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  1. 基于ZnO薄膜光学温变特性的反射式光纤温度传感器.pdf

  2. 基于ZnO薄膜光学温变特性的反射式光纤温度传感器pdf,基于ZnO薄膜光学温变特性的反射式光纤温度传感器
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    • 发布日期:2019-09-19
    • 文件大小:535kb
    • 提供者:weixin_38743968
  1. 实现照明LED用p-ZnO中Ag-2N高共掺浓度机理

  2. 实现照明LED用p-ZnO中Ag-2N高共掺浓度机理,何成,张文雪,基于密度泛函理论的第一性原理方法,对六方纤锌矿结构的ZnO晶体和N,Ag分别掺杂ZnO以及Ag-2N共掺杂ZnO晶体的几何结构分别进行了比较研�
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    • 发布日期:2020-02-24
    • 文件大小:581kb
    • 提供者:weixin_38605801
  1. ZnO nanowires based MSM ultraviolet photodetectors with Pt contact electrodes

  2. 基于ZnO纳米线和Pt电极的金属-半导体-金属紫外光探测器,闫小琴,,本文构建了基于ZnO纳米线和Pt电极的金属-半导体-金属紫外光探测器,并对其光电特性进行了研究。实验所用的ZnO纳米线是通过化学气相�
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    • 发布日期:2020-02-20
    • 文件大小:285kb
    • 提供者:weixin_38604916
  1. 源温度对基于CVD的ZnO:N薄膜性能影响

  2. 源温度对基于CVD的ZnO:N薄膜性能影响,毛飞燕,邓宏,利用化学气相沉积 (CVD) 法,以Zn4 (OH)2(O2CCH3)6•2H2O为源,NH3为掺杂气体,在不同源温度下沉积ZnO:N薄膜,研究了样品的结构、光学、电学
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    • 发布日期:2020-02-05
    • 文件大小:472kb
    • 提供者:weixin_38734008
  1. 低温液相法制备ZnO花-球微纳米结构

  2. 低温液相法制备ZnO花-球微纳米结构,张强,李涛,采用六水硝酸锌和六次甲基四胺作反应剂,基于氢氟酸(HF)的调控作用,利用低温液相技术制备了ZnO花-球微纳米结构。X射线衍射分析�
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    • 发布日期:2020-01-08
    • 文件大小:584kb
    • 提供者:weixin_38665093
  1. 基于ZnOZnS核壳结构纳米棒阵列的微通道式光催化用微反应器

  2. 基于ZnOZnS核壳结构纳米棒阵列的微通道式光催化用微反应器,何中媛,张青红,本文利用湿化学的方法在毛细管微通道内表面上构筑了垂直生长的ZnO 纳米棒阵列,以其为原位模板向微通道中输送硫代乙酰胺(TAA)溶液,
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    • 发布日期:2020-01-08
    • 文件大小:588kb
    • 提供者:weixin_38569109
  1. PEI、ZnO和PEI/ZnO电子修饰层对聚合物太阳能电池性能的影响

  2. PEI、ZnO和PEI/ZnO电子修饰层对聚合物太阳能电池性能的影响,陆浙,陈晓红,比较polyetherimide(PEI)、ZnO和PEI/ZnO电子修饰层对基于poly(3-hexylthiophene)(P3HT):[6,6]-phenyl-C61 butyric acid methyl ester(PCBM)的反转型聚合物�
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    • 发布日期:2019-12-28
    • 文件大小:371kb
    • 提供者:weixin_38562626
  1. 直流溅射沉积在多孔硅上的ZnO薄膜

  2. ZnO现在是用于发光或透明电子导体的迷人半导体氧化物材料。 通过直流溅射技术,我们在多孔硅上沉积了ZnO薄膜,多孔硅被称为基于硅的发光材料。 在室温下进行沉积,然后对样品进行退火以提高ZnO的结晶质量。 将我们的结果与在Si晶片上形成的结果进行比较的讨论表明,在X射线衍射测量范围内,多孔硅上的ZnO具有更好的结晶质量。
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  1. ZnS纳米带/ ZnO纳米颗粒异质结构的合成,表征和光学性质

  2. 在这项研究中,我们介绍了通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法合成和表征ZnS纳米带/ ZnO纳米颗粒的异质结构。 基于TEM结果,ZnO纳米颗粒在ZnS纳米带的(100)表面上外延生长,并分别沿着[210]和[001]方向与ZnS纳米带共享相同的取向。 所制备的ZnS / ZnO纳米异质结构具有单晶性的重要特征。 在室温下,ZnS纳米带/ ZnO纳米颗粒的异质结构分别显示一种强绿色发射和两种弱紫色发射,分别来自ZnS和ZnO组分。 这项研究将为我们构建高质量的纳米异质结构提供一些启发。 (
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    • 发布日期:2021-03-26
    • 文件大小:878kb
    • 提供者:weixin_38620314
  1. ZnO基金属-绝缘体-半导体结构器件中的电泵浦随机激射:ZnO膜厚的影响

  2. 在我们以前的报告中[Ma et al。,Appl。 物理来吧91,251109(2007)],已经通过基于硅衬底上的ZnO膜的金属-绝缘体-半导体(MIS)结构实现了多晶ZnO膜的电泵浦随机激射(RL)。 在本文中,我们研究了ZnO膜厚度对基于ZnO的MIS结构的器件的阈值电流和RL的输出功率的影响。 发现RL阈值电流随ZnO膜厚度的增加而增加。 此外,在小注入电流下,RL的输出功率随ZnO膜厚度的增加而减小,而在大注入电流下,其输出功率随ZnO膜厚度的增加而增大。 已经根据RL的两个成分,即多
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  1. 基于ZnO-SnO2复合纳米管的增强型光电化学传感器

  2. 基于ZnO-SnO2复合纳米管的增强型光电化学传感器
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    • 发布日期:2021-03-17
    • 文件大小:281kb
    • 提供者:weixin_38595606
  1. 基于ZnO-Ag异质结构的超快紫外线开关

  2. 基于ZnO-Ag异质结构的超快紫外线开关
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-17
    • 文件大小:214kb
    • 提供者:weixin_38631389
  1. 基于ZnO-Ge双电子传输层的三元有机太阳能电池,具有更高的功率转换效率

  2. 基于ZnO-Ge双电子传输层的三元有机太阳能电池,具有更高的功率转换效率
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  1. 基于ZnO装饰的氧化镍薄膜增强的气敏特性用于甲醛检测

  2. 基于ZnO装饰的氧化镍薄膜增强的气敏特性用于甲醛检测
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    • 发布日期:2021-03-13
    • 文件大小:282kb
    • 提供者:weixin_38674115
  1. 基于ZnO / ZnMgO核-壳纳米线阵列的壳特性对光电导的紫外光响应行为的影响

  2. 基于ZnO / ZnMgO核-壳纳米线阵列的壳特性对光电导的紫外光响应行为的影响
  3. 所属分类:其它

  1. 通过热蒸发Craft.io制备的基于ZnO纳米线的光波导

  2. 通过热蒸发锌粉在硅衬底上合成了氧化锌(ZnO)纳米线。 通过扫描电子显微镜(SEM)检查纳米线的形态,并通过拉曼测量将其表征为六方纤锌矿结构。 基于纳米线中的轴向法布里-珀罗共振器模式,获得了光致发光(PL)光谱并演示了波导行为。 由Elsevier BV发布
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    • 发布日期:2021-03-05
    • 文件大小:615kb
    • 提供者:weixin_38656400
  1. 室温电抽运硅基ZnO薄膜的随机激光

  2. 在硅衬底上制备了基于ZnO多晶薄膜的金属-绝缘层-半导体(MIS)器件,该MIS器件在室温下被施以不断增大的正向偏压时,来自于ZnO薄膜的紫外发光从自发辐射转变为受激辐射,并产生随机激光。
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    • 发布日期:2021-02-26
    • 文件大小:646kb
    • 提供者:weixin_38699830
  1. 基于ZnO薄膜光学温变特性的反射式光纤温度传感器

  2. 基于ZnO薄膜吸收光谱的温变特性,设计了一种反射式光纤温度传感器。该传感器以镀于蓝宝石三棱镜面上的ZnO薄膜作为敏感材料,采用三棱镜、凸透镜和位于凸透镜焦点处的光纤端面相配合的结构以及相应的反射式光路。室温至500 ℃范围测试实验表明,所设计的传感器的温度曲线线性拟合度达99.3%以上,灵敏度优于0.05 nm/℃。该传感器的理论测温范围可达10 K~1000 K,稳定性高,适用于实际工作环境中的宽温变范围温度测量。
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  1. 水热法制备掺磷p型ZnO纳米棒和ZnO纳米棒pn结LED

  2. 采用水热法制备了掺磷的ZnO纳米棒和ZnO纳米棒的同质结。 结构和光致发光(PL)表征表明P原子掺杂到ZnO晶格中。 在低温PL光谱中,观察到发射峰位于3.310 eV和3.241 eV,这可能分别归因于磷相关受体跃迁和供体-受体对跃迁的导带。 通过在未掺杂的ZnO纳米棒上生长的P掺杂的ZnO纳米棒合成ZnO同质结。 基于ZnO纳米棒p–n同质结的电流-电压(IV)测量显示出典型的半导体整流特性,其导通电压约为3.14 V,这意味着P的电导率 掺杂ZnO纳米棒可能是p -型导电性。 在室温下对该
  3. 所属分类:其它

  1. 基于ZnO薄膜光学温变特性的反射式光纤温度传感器

  2. 介绍了关于基于ZnO薄膜光学温变特性的反射式光纤温度传感器的详细说明,提供传感器的技术资料的下载。
  3. 所属分类:其它

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