步进扫描光刻系统是一种混合设各，融合了扫描投影光刻机和分步重复光刻机技术，是通过使用缩小透镜扫描一个大曝光场图像到晶片上一部分实现的。这种技术在一定程度上缓解了器件特征尺寸减小而半导体晶圆物理尺寸增加的问题。一束聚焦的狭长光带同时扫过掩模版和晶片。这种光刻机的标准曝光尺寸为26 mm×33 mm。一旦扫描和图形转移过程结束，晶片就会步进到下一个曝光区域重复这个过程。使用步进扫描光刻机的优点为： 　　（1）增大了曝光场，可以获得较大的芯片尺寸； 　　（2）可以在投影掩模版上放多个图形，因而一次

图显示了一种简单分步重复光刻系统。掩模版放在聚焦透镜和投影系统之间，掩模图像是被缩小了5～10倍投影到衬底晶片上的。这种光学系统有很多优点：第一，可以利用大得多的特征尺寸绘制掩模图形，例如在制作了特征尺寸为0.1 μm的图形，可以在掩模上用1μm的线宽，相对来说容易很多；其次，由于缩小作用，一次曝光可以只用到晶片上的一小部分。步进光刻机采用的是投影掩模版，上面包含了一个曝光场内对应一个或多个芯片的图形。为了曝光整个晶片，每次曝光以后都需要一定晶片来使下一个芯片区域移动到投影照射区域，因此称为分步