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  1. 基础电子中的邻近效应的产生原理

  2. 邻近效应的形成如图1所示。在两个平行导体中分别有电流流过、电流的方向相反(AA′和BB′)。为了使分析简化,假设图中的两个导体的横截面为很窄的矩形,距离较近,且导体可能是两个圆导线也可能是变压器绕组中两个紧密相邻的导线层。   位于下面的导体被磁场包围,磁力线从其侧面1、2、3、4穿出后进人上面导体的侧面,然后从对面穿出,最后又往下回到下面的导体。根据右手定则,磁场的方向是进人上面导体侧面的5、6、7、8方向。   根据法拉第定律,穿过平面5、6、7、8的可变磁场将位于该平面的任何导体上感应
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-16
    • 文件大小:60kb
    • 提供者:weixin_38694006
  1. 基础电子中的邻近效应

  2. 当相邻的导线流过电流时,会产生可变磁场,从而形成邻近效应,如果邻近效应发生在绕组层间时,其危害性是很大的。   邻近效应比集肤效应更严重,因为集肤效应只是将导线的导电面积限制在表面的一小部分,增加了铜损。它没有改变电流的幅值,只是改变了导线表面的电流密度。但相对来看,邻近效应中的涡流是由相邻绕组层电流的可变磁场引起的,而且涡流的大小随绕组层数的增加按指数规律递增。   欢迎转载,信息来自维库电子市场网(www.dzsc.com)  来源:ks99
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-16
    • 文件大小:25kb
    • 提供者:weixin_38551749
  1. 基础电子中的变压器铜损的计算

  2. 铜损的计算公式为(Irms)2Rdc式中Rdc为绕组的直流电阻,它是通过绕组长度和绕组每单位长度的电阻值(根据选定的导线规格查表得到)计算出来的;Irms为根据电流波形计算出来的电流有效值。由于集肤效应和邻近效应的影响,绕组损耗往往比(Irms)2Rdc大许多,而且工作频率越高绕组的损耗越大。绕组的电阻与集肤效应的穿透深度有关,对于圆形铜导线,沿导线表面穿透到圆心的径向深度,工作频率越高,△越小,导线的电阻越大。图中给出了变压器工作频率与绕组铜导线穿透深度△的关系曲线。当已知工作频率时从此曲线查
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-16
    • 文件大小:77kb
    • 提供者:weixin_38693476