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  1. 如何区分三极管PNP与NPN

  2. 半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。 三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极(用字母B表示——B取自英文Base,基本(的)、基础(的)),其他的两个电极分别称为集电极(用字母C表示——C取自英文Collector,收集)和发射极(用字母E表示—— E取自英文Emitter,发射)。 三极管最基本的作用是放大作用,它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号,当然
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-13
    • 文件大小:69kb
    • 提供者:weixin_38551070
  1. npn型三极管原理图

  2. NPN型三极管概述 NPN型三极管,由三块半导体构成,其中两块N型和一块P型半导体组成,P型半导体在中间,两块N型半导体在两侧。三极管是电子电路中最重要的器件,它最主要的功能是电流放大和开关作用。 半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。 三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极(用字母B表示——B取自英文Base,基本(的)、基础(的)),其他的两个电极分别称
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-13
    • 文件大小:108kb
    • 提供者:weixin_38529951
  1. 如何检测光电三极管?

  2. 光电三极管也是一种晶体管,它有三个电极。当光照强弱变化时,电极之间的电阻会随之变化。 光电三极管是在光电二极管的基础上发展起来的光电器件,它本身具有放大功能。常见的光电三极管外形如图l所示,文字符号表示为VT或V。 目前的光电三极管是采用硅材料制作而成的。这是由于硅元件较锗元件有小得多的暗电流和较小的温度系数。硅光电三极管是用N型硅单晶做成N—P—N结构的。管芯基区面积做得较大,发射区面积却做得较小,入射光线主要被基区吸收。与光电二极管一样,入射光在基区中激发出电子与空穴。在基区漂移场的作用
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-12
    • 文件大小:147kb
    • 提供者:weixin_38516190
  1. 基础电子中的基础元件介绍——晶体三极管

  2. 晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。从外表上看两个N区(或两个P区)是对称的,实际上发射区的掺杂浓度大,集电区掺杂浓度低,且集电结面积大,基区要制造得很薄,厚度约在几个微米至几十个微米。如图1从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。   发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-22
    • 文件大小:396kb
    • 提供者:weixin_38742421
  1. 基础电子中的关于中外半导体器件型号命名方法

  2. 一、中国半导体器件型号命名方法   半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、pin型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下:   第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管   第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:a-n型锗材料、b-p型锗材料、c-n型硅材料、d-p型硅材料。表示三极管时:a-pnp型锗材料、b-npn型锗材料、c-pnp型硅材料、d-npn型硅材料。   第三部分:用
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-12
    • 文件大小:67kb
    • 提供者:weixin_38593644
  1. 基础电子中的晶体三极管的分类以及结构

  2. 三极管的结构如图所示。它由发射结、集电结和N型半导体与P型半导体构成,有三个电极,即基极 (B)、发射极 (E)、集电极 (C)。对于PNP型三极管山两块P型和一块N型半导体构成,对于NPN型半导体则由两块N型和一块P型半导体构成。在P型与N型半导体的交界处形成的部分称为PN结,基极与集电极之间的PN结称为集电结,基极与发射极之间的pN结称为发射结。                          图:三极管结构  晶体三极管的种类很多,分类方法也有多种。下面按用途、频率、功率、材料等进行分
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-24
    • 文件大小:67kb
    • 提供者:weixin_38514322
  1. 基础电子中的G型封装的三极管

  2. G型封装的三极管可分为G一l、G一2、G一3、G一4、G一5、G一6六种规格。其实物外形如图所示。G一l、G一2采用的是圆形引出脚,而G一3、G一再、G一5、G一6刚采用的是扁形引出脚。                        图:G型封装的三极管实物外形与引脚分布                       (a)圆形引出脚;(b)扁形引出脚;(c)引脚排列  图(c)所示呈等腰三角形。识别方法是:将引脚朝上,把等腰三角形的底边对着自己,从左边起,顺时针方向,依次是E、B、C脚。  采
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    • 发布日期:2020-11-24
    • 文件大小:56kb
    • 提供者:weixin_38728347
  1. 基础电子中的D型封装的三极管

  2. D型封装的三极管可分为D一l和D一2两种规格。其实物外形与B型相同,如图所示。引脚排列与图中D型相同,它没有定位销,三根引脚呈等腰三角形分布。识别方法是:将引脚朝上,把三角形的底边对着自己,从左边起,顺时针方向依次是E、B、C脚。    采用D型封装的三极管有:3AX55、3AX61、3ADll、3ADl8、3ADl9、3AD等。                              图:金属封装-极管的外形尺寸  E型封装的三极管与D型实物外形差不多。引脚排列与D型相同。  
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-24
    • 文件大小:171kb
    • 提供者:weixin_38601311
  1. 基础电子中的C型三极管

  2. C型三极管的规格有C一l、C一2、C一3、C一4、C一5、C一6、C一7几种。它们的外形尺寸都各不相同,但形状基本一样。    C型实物外形与B型相同,引脚排列与图中的(c)型相同,在外壳上有一个定位销,只有三根引脚,并按等腰三角形分布,靠近定位销的是E极,按顺时针方向依次是E、B、C脚。 图:金属封装-极管的外形尺寸  
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-24
    • 文件大小:169kb
    • 提供者:weixin_38643269
  1. 基础电子中的B型三极管

  2. B型可分为B一l、B一2、B一3、B一4、B一5、B一6六种规格。主要用于小功率三极管,它们的实物外形如图所示。采用该种封装的三极管有:B一l为:3DK2l、3DK28、3DKlO1、3DKlO2、3DKl03、3CGl8、3CKll0.3CKll2、3CKl13、3DJ1、3DJ2、3DJ4、3DJ6等;B一2为3CK35、 3CK37、3DA96、3DA72等;B一3为:3CGl90、3CG200、3CGl8、3DKl04、3DKlO5、 3DKl06、3DKl07等;B一4为:3DKl4、
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    • 发布日期:2020-11-24
    • 文件大小:63kb
    • 提供者:weixin_38524246
  1. 基础电子中的S一8型封装形式的三极管

  2. S一8型封装形式的三极管外形如图所示。此种封装的三极管也用于大功率管。采用此种封装的三极管有:达林顿管YZ33SA-C、YZ23SA-F。  S一8型封装形式的三极管引脚的排列为:将管子标有型号的一面对着自己,把引脚朝下,从左至右依次为B、c、E脚。 图:S一8型三极管外形与引脚分布  
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-24
    • 文件大小:65kb
    • 提供者:weixin_38684509
  1. 基础电子中的S一1型封装形式的晶体管

  2. S一1型封装形式的晶体管外形如图所示。它又可分为S一lA型、S一lB型和S一lC型三种。  采用此种封装的晶体管多为小功率三极管,如3DG9011、3DG8、3DG8050、3DG2O1、3DG9014、3CG9012、3CG2O1、3CG8550、3CX201等。                     图:S一1型三极管封装外形和引脚分布                      (a)S一IA型;(b)S一lB型;(c)S一lC型  S一1型的引脚排列顺序如图所示、使用时的识别方法是
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-24
    • 文件大小:92kb
    • 提供者:weixin_38554186
  1. 基础电子中的F型封装的三极管

  2. F型封装的三极管可分为F一O、F一l、F一2、F一3、F一4五种规格。其实物外形如图所示。主要用于大功率三极管的封装。其中F一2规格的用的较多。  F型封装的三极管的引脚排列如图(b)所示,其识别方法是:将引脚朝上,放成如图所示的状态,上面的一根为基极B,下面的一恨为发射极E,金属外壳为集电极C。外壳中的两个孔是为安装三极管用的。  采用F型封装的三极管有:F一l为FHOO4朋 (达林顿管);F一2为3DD15、3DD102、3DD200、3DD207、3DD303、D7312、DD5O2等;F
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-24
    • 文件大小:59kb
    • 提供者:weixin_38531788
  1. 基础电子中的金属封装的三极管

  2. 金属封装形式  金属封装的三极管可分为B型、C型、D型、E型、F型、G型六种,它们的外形尺寸如图所示。各型号中又分为多种不同的规格。 图:金属封装-极管的外形尺寸  
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    • 发布日期:2020-11-24
    • 文件大小:161kb
    • 提供者:weixin_38724663
  1. 基础电子中的E3型封装形式的三极管

  2. E3型封装形式的三极管为表面安装的三极管,如图所示多用于通信电路和微型电子设备中。  表面封装的三极管引脚排列较易识别,将标有型号的面向上,把三极管平行于桌面放置,把有两个弓脚的一边对着自己,从左边的脚逆时针方向,依次为B、C、E脚。对于功率较大的表面封装三极管,集电极引脚有时为两个,使用是可任选一个。引脚的排列与小功率管的不同之处是两集电极弓脚的其中一个排在B与E之间,使用时需加注意。 图:E3型三极管外形与引脚分布  
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-24
    • 文件大小:59kb
    • 提供者:weixin_38608688
  1. 基础电子中的S一5型封装形式的三极管

  2. S一5型封装形式的三极管外型如图所示。此种封装的一极管主要用于低频大功率管。采用此种封装的三极管有:DK53、3DA863、3DD2481。  S一5型封装形式的三极管引脚排列顺序为:让管子的引脚朝下,将印有型号的平面对着自己,从左至右依次为B、C、E脚。 图:S一5型三极管外形与引脚分布  
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-24
    • 文件大小:72kb
    • 提供者:weixin_38611254
  1. 基础电子中的S一4型封装形式的三极管

  2. S一4型封装形式的三极管外形如图所示。该种封装的三极管可分为S一4A和S一4B型两种。采用此种封装的三极管有3CG9092、3CG9093、3DG9092、3DG9043、3DG2271、3DG2383、3DG2655、3DA87、3DA93等。  S一4型封装的三极管引脚排列顺序与S一1、S一2有所不同,识别方法是将管子的引脚朝上,让管子的圆面对着自己,从左至右依次为E、B、C脚。 图:S一4型三极管外形与弓脚分布  
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    • 发布日期:2020-11-23
    • 文件大小:89kb
    • 提供者:weixin_38744803
  1. 基础电子中的带阻三极管

  2. 带阻三极管是由一个或两个电阻与三极管基极或发射极连接后,封装在一起构成的,它的外形与普通三极管基本相同。带阻三极管的内部电路结构如图所示。                                                                         图:带阻三极管的外形                                                    (a)S0T一23型;(b)T0-92S型;(c)TO一92型;(d)M型  带阻三极管的
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    • 发布日期:2020-11-23
    • 文件大小:82kb
    • 提供者:weixin_38727825
  1. 基础电子中的集成电路引脚的识别

  2. 集成电路的引脚较多,如何正确识别集成电路的引脚则是使用中的首要问题。下面介绍几种常用集成电路引脚的排列形成。   圆形结构的集成电路和金属壳封装的半导体三极管差不多,只不过体积大、电极引脚多。这种集成电路引脚排列方式为:从识别标记开始,沿顺时针方同依次为1、2、3……如图(a)所示。   集成电路引脚排列图  单列直插型集成电路的识别标记,有的用倒角,有的用凹坑。这类集成电路引脚的排列方式也是从标记开始,从左向右依次为1、2、3……如图(b)、(c)所示。  扁平型封装的集成电路多为双列
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    • 发布日期:2020-11-22
    • 文件大小:80kb
    • 提供者:weixin_38552239
  1. 基础电子中的半导体型号命名方法

  2. 一、中国半导体器件型号命名方法    半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下:    第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管     第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。    第三部分:
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-22
    • 文件大小:67kb
    • 提供者:weixin_38625192
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