利用Geant4系统模拟了在高能中子照射下，塑料闪烁光纤中产生的反冲质子的分布特性，分析了入射中子能量分别为2，4，6，8 MeV时，产生的反冲质子能量和方向分布，给出了反冲质子在不同方向上的能量分布。结果表明：向前和向后出射的质子分布不对称；反冲质子的能量在零与入射中子能量之间连续地分布；接近垂直入射方向产生的质子数较多；入射中子能量越高，产生质子数越少；反冲质子的出射角度越小，其能量越大，即沿着入射中子方向的反冲质子能量较大，垂直入射方向的反冲质子能量较小。