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搜索资源列表

  1. mocvd mocvd 半导体 semi 外延

  2. mocvd 半导体 semi 外延 mocvd 半导体 semi 外延

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2011-05-15
    • 文件大小：116kb
    • 提供者：icewoods

  1. 各种外延技术及相关测试方法

  2. PPT章节为（特别详细、耐看、有内容！）： 7.1 硅气相外延的基本原理 7.2 外延层中的杂质分布 7.3 低压外延 7.4 选择外延 7.5 硅烷热分解法外延 7.6 SOS技术 7.7 分子束外延 7.8 层错、图形漂移及利用层错法测量厚度 7.9 外延层厚度和电阻率的测量

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-12-26
    • 文件大小：323kb
    • 提供者：abu2033

  1. 逐层外延生长水溶磁性上转换纳米粒子及其活体生物应用

  2. 逐层外延生长水溶磁性上转换纳米粒子及其活体生物应用，李菲菲，李春光，镧系掺杂的核壳上转换纳米粒子（UCNCs）在许多领域有着巨大的应用潜力，尤其是在生物成像和医学治疗方面显得尤为突出。然而，直接�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-10
    • 文件大小：774kb
    • 提供者：weixin_38558660

  1. 一类分子束外延方程整体吸引子的存在性

  2. 一类分子束外延方程整体吸引子的存在性，王琛，李云松，抛物型偏微分方程的动力学性质,例如整体吸引子,惯性流形等对于研究抛物型方程具有非常重要的意义.本文研究一类非线性项为有理式形

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-10
    • 文件大小：383kb
    • 提供者：weixin_38629873

  1. 外延间接成本失控导致ERP实施虽有苦劳但无功劳

  2. 一个ERP实施项目其成本要素可分为直接实施费用和间接实施费用。虽然不少ERP实施团队在ERP实施启动的时候都会制定成本控制目标，但很多ERP实施项目的成本管理依然没有达到预期的效果。究其原因是成本管理的“黑洞”主要存在于间接成本中，而大家往往又对外延间接成本缺乏足够的重视和认识，使得成本控制始终不尽人意。伴随着ERP实施进度的进行，涉及的实施质量、工期进度等必然会产生一系列成本，这些置于ERP实施直接成本之外的成本，一般称为外延间接成本。管理好这些外延间接成本，对ERP实施效益起到至关重要的作用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-04
    • 文件大小：33kb
    • 提供者：weixin_38607311

  1. 有序ZrO2(111)薄膜在Pt(111)表面的外延生长

  2. 有序ZrO2(111)薄膜在Pt(111)表面的外延生长，高艳，张亮，利用低能电子衍射（LEED）、同步辐射光发射谱（SRPES）和X射线光电子能谱（XPS）技术研究有序ZrO2薄膜在Pt（111）单晶表面的外延生长。�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-25
    • 文件大小：691kb
    • 提供者：weixin_38607026

  1. 电化学原子层外延制备CdS量子点敏化TiO2纳米棒阵列薄膜太阳能电池

  2. 电化学原子层外延制备CdS量子点敏化TiO2纳米棒阵列薄膜太阳能电池，冯双龙，杨君友，本论文阐述了运用电化学原子层外延（ECALE）制备CdS量子点敏化TiO2纳米棒阵列薄膜太阳能电池的方法，并对其欠电位沉积（UPD）过程进行

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-23
    • 文件大小：846kb
    • 提供者：weixin_38681646

  1. 品牌本质论：内涵与外延

  2. 品牌本质论：内涵与外延，张锐，张燚，品牌本质问题，涉及到品牌的内涵、外延、属性、功能、效应、分类及时空等方面。本研究主要对品牌的内涵与外延进行刻画和界定。在

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-18
    • 文件大小：518kb
    • 提供者：weixin_38630697

  1. 图形化衬底上外延结构的形态演化

  2. 图形化衬底上外延结构的形态演化，倪勇，何陵辉 ，本文采用相场数值模拟研究了图形化衬底上外延形态演化及其可调控性。发现通过在衬底表面预制合适的图形，改变外延层表面初始的应

  3. 所属分类：其它

  1. 外延氧化铟薄膜中的表面缺陷及其对薄膜电导率的影响

  2. 外延氧化铟薄膜中的表面缺陷及其对薄膜电导率的影响，张玉杰，李志青，透明导电氧化物 (TCOs) 大多是宽禁带n 型半导体材料，如氧化锌、氧化铟、氧化锡。这类材料即使在不掺杂的情况下，其薄膜形状的电导�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-03
    • 文件大小：702kb
    • 提供者：weixin_38625448

  1. 镓酸钕基片上外延生长钇钡铜氧超导厚膜的a、c轴取向转变机制

  2. 镓酸钕基片上外延生长钇钡铜氧超导厚膜的a、c轴取向转变机制，蔡衍卿，姚忻，本文研究了在镓酸钕（NdGaO3, NGO）单晶基片上液相外延生长（LPE）钇钡铜氧(YBa2Cu3Oz, YBCO)厚膜过程中a-c轴生长取向转变的问题，并且系统�

  3. 所属分类：其它

  1. 液相外延生长GaAs微探尖的质量改进

  2. 液相外延生长GaAs微探尖的质量改进，许育波，梁秀萍，本文对比了两种在选择性液相外延生长GaAs微探尖结束后使生长液与衬底脱离的方法：平推法和旋转石墨舟法。利用扫描电子显微镜对两�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-29
    • 文件大小：828kb
    • 提供者：weixin_38525735

  1. 光作用下外延掺锰铁酸铋薄膜的铁电和输运性质

  2. 光作用下外延掺锰铁酸铋薄膜的铁电和输运性质，彭增伟，朱慧娟，本文采用溶胶-凝胶的方法在(001)取向的SrRuO3/SrTiO3(SRO/STO)异质结上制备了外延BiFe0.95Mn0.05O3(BFMO)薄膜，并构架了ITO/BFMO/SRO型电容器。X射线衍

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-29
    • 文件大小：328kb
    • 提供者：weixin_38518668

  1. 热处理对MOCVD外延生长GaN薄膜性能的影响

  2. GaN是一种宽禁带直接带隙半导体材料，在电子器件领域有着广泛的应用。但由于缺 乏合适的衬底材料，限制了器件性能的进一步提高。因此，如何提高GaN外延层的性能就 成为GaN材料研究和应用中的主要问题。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2012-10-31
    • 文件大小：2mb
    • 提供者：lht3525

  1. 近距离煤层群外延火区灭火技术

  2. 为了消灭由4238工作面发泡材料充填不当导致发火并蔓延成状态极其复杂的+1 030水平四采火区,根据矿井正压通风与倾斜近距离煤层群赋存特点,制订了"先闭后缩再治、先降温再充填、先核心后外围、以隔离火区保障生产接替为优先目标"的综合灭火方针,采用正压火区远距离封闭与逐步缩封、新型无机材料巷道充填与小断面恢复、移动式液态二氧化碳井下直注、核心火区下施工措施巷等一系列灭火措施对该种外延火区进行治理。结果表明:火势得到了有效地控制,取得了阶段性灭火成果,但外延火区状态依然较为脆弱,后续进一步采取粉煤灰复

  3. 所属分类：其它

  1. LED外延片基础知识

  2. 文章主要介绍了LED外延片基础知识。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-02
    • 文件大小：93kb
    • 提供者：weixin_38520046

  1. 集成电路制造技术——原理与工艺----第三章外延

  2. 集成电路制造技术——原理与工艺----第三章外延 3.1 概述 3.2 气相外延 3.3 分子束外延 3.4 其它外延 3.5 外延层缺陷及检测

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2020-08-24
    • 文件大小：4mb
    • 提供者：zhifj86

  1. 欧陆2604控制器在分子外延（MBE）设备上的应用

  2. 欧陆2604控制器在分子外延（MBE）设备上的应用设备现状用改造方案简述：原美国MBE设备中的温控表型号为欧陆的905D，由于该型号的表欧陆公司已经停产，而且维修费用较高甚至不能维修；所以此方案考虑用欧陆的2604完全替换原905D，用一台新的计算机替换原计算机，在新计算机上安装Windows2000操作系统，在新计算机上实现原905D的温度控制编程功能。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：188kb
    • 提供者：weixin_38662213

  1. 基于超薄外延技术的双扩散新型D-RESURF LDMOS设计

  2. 文中针对高压节能应用领域，开发了一种基于超薄外延技术的双扩散BCD兼容工艺，实现了一种新型D-RESURF结构的700V LDMOS设计。结构中N型外延的厚度减小为4．5μm，漂移区长度缩减至70μm，使得芯片面积和制造成本大幅减小。并通过仿真设计，优化了器件结构的表面电场分布，使反向击穿电压达到700V的同时，使器件导通电阻降为33Ω·mm2。流片结果表明，功率管可以达到设计要求。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：233kb
    • 提供者：weixin_38713203

  1. 基础电子中的LED外延片基础知识

  2. 外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品（电压偏差很大，波长偏短或偏长等）。良品的外延片就要开始做电极（P极，N极），接下来就用激光切割外延片，然后百分百分捡，根据不同的电压，波长，亮度进行全自动化分检，也就是形成LED晶片（方片）。然后还要进行目测，把有一点缺陷或者电极有磨损的，分捡出来，这些就是后面的散晶。此时在蓝膜上有不符合正常出货要求的晶片，也就自然成了边片或毛片等。不良品的外延片（主要是有一些参数不符合要求），

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：93kb
    • 提供者：weixin_38712548
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