对于外延Si：P阻塞杂质带（BIB）检测器，已经研究了暗电流对温度的依赖性。 为此，构建了实验测试系统。 获得了在9.2K至24.3K的温度范围和-3V至3V的偏压范围内的外延Si：P BIB检测器的暗电流行为。 结果表明，该检测器在0.2V的偏置电压和20K以下的温度下表现出较低的暗电流。