注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. 多孔TiO2基底上CuInSe2(CIS)薄膜的电沉积制备

  2. 多孔TiO2基底上CuInSe2(CIS)薄膜的电沉积制备，杨靖霞，石勇，采用电化学沉积法，以硫酸铜、硫酸铟和二氧化硒为原料，在多孔TiO2基底上于沉积电位-1100mV成功沉积制备出CuInSe2薄膜。直接沉积的薄膜

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-02
    • 文件大小：811kb
    • 提供者：weixin_38695471