电位诱导衰减(PID)能够导致晶体硅太阳电池组件功率大幅衰减，使太阳电池组件的大规模应用受到了限制。实验分析了由不同等离子体增强化学气相沉积(PECVD)镀膜工艺多晶硅太阳电池制作的组件功率衰减问题。结果表明，相比标准工艺多晶硅太阳电池组件(折射率为2.06)，防PID 工艺多晶硅太阳电池(折射率为2.16)制作的组件功率仅有1.65%的衰减，衰减幅度在5%以内，具有一定的耐高压、高温和湿热环境的能力。分析可知，在满足光学薄膜厚度的情况下，制作具有较高折射率SiNx膜的多晶硅太阳电池组件能够更好