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  1. 大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

  2. 大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-01-31
    • 文件大小：182kb
    • 提供者：doushikuangying

  1. 大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

  2. 大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术，希望对大家有帮助

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2008-11-26
    • 文件大小：182kb
    • 提供者：jiaosheng1981

  1. 大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术.pdf

  2. 功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源（switch-mode power supplies，SMPS）的整流组件，不过

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-05
    • 文件大小：260kb
    • 提供者：weixin_38744270

  1. 电源技术中的基于大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

  2. 1.MOSFET栅极驱动电平的上升时间和下降时间功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源(switch-mode power supplies，SMPS)的整流组件，不过，在选用MOSFET时有一些注意事项。     功率MOSFET和双极型晶体管不同，它的栅极电容比较大，在导通之前要先对该电容充电，当电容电压超过阈值电压(VGS-TH)时MOSFET才开始导通。因此，栅极驱动器的负载能力必须足够大，以保证在系统要求的时间内完成对等效栅极电容(CEI)的充电。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：151kb
    • 提供者：weixin_38547035

  1. 大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

  2. 功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源（switch-modepowersupplies，SMPS）的整流组件，不过，在选用MOSFET时有一些注意事项。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：161kb
    • 提供者：weixin_38696336

  1. 电子维修中的详解如何为D类放大器选取合适的参数

  2. 通过控制开关单元的ON/OFF,驱动扬声器的放大器称D类放大器。以前的模拟放大器的效率停留在50%左右，剩下的50%主要作为热量被消耗。D类放大器的效率相当高，达到80~90%.不仅不浪费电源，有效地利用电源，还能得到较大的功率输出。 　　随着半导体器件和电路技术的最新发展，如今D类音频放大器在电视/家庭娱乐，音响设备和高性能便携式音频应用中得到广泛的应用。高效率，低失真，以及优异的音频性能都是D类放大器在这些新兴的大功率应用中得到广泛应用的关键驱动因素。然而，如果输出功率桥接电路中的MOSFE

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：254kb
    • 提供者：weixin_38620267

  1. 电源技术中的Linear推出宽输入范围同步降压型开关稳压器控制器LTC3851

  2. 凌力尔特(Linear Technology Corporation)推出宽输入范围同步降压型开关稳压器控制器 LTC3851，该器件驱动所有 N 沟道功率 MOSFET 级并具有一致或比例跟踪功能。4V 至 38V 的输入范围促成种类繁多的应用，包括大多数中间总线电压和电池化学组成。强大的片上 MOSFET 栅极驱动器允许使用大功率外部 MOSFET，以在 0.8V 至 5.5V 的输出电压范围内产生高达 20A 的输出电流，从而使 LTC3851 非常适合于负载点需求。应用包括汽车、工业、医

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-19
    • 文件大小：58kb
    • 提供者：weixin_38528180

  1. 电源技术中的Linear推出LTC3851同步降压型DC/DC控制器

  2. 凌力尔特(Linear)推出宽输入范围同步降压型开关稳压器控制器LTC3851，该器件驱动所有N沟道功率MOSFET级并具有一致或比例跟踪功能。4V 至38V的输入范围促成种类繁多的应用，包括大多数中间总线电压和电池化学组成。强大的片上MOSFET栅极驱动器允许使用大功率外部MOSFET，以在0.8V至5.5V的输出电压范围内产生高达20A的输出电流，从而使LTC3851适合于负载点需求。应用包括汽车、工业、医疗、数据通信和电信系统，多功能打印机以及机顶盒。 　　恒定频率电流模式架构提供从 25

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-19
    • 文件大小：63kb
    • 提供者：weixin_38647925

  1. 电源技术中的UCC38500控制芯片[5]

  2. 当前国内多用UC3854系列、UC3855系列等进行有源功率因数校正的控制芯片，先做预稳压，升压到380 V左右再做DC／DC转换。也就是人们常说的前级、后级。　　由于电路复杂，前、后级很容易相互干扰。将PFC和DC／DC转换器控制芯片合二为一，一直是大家的梦想，UCC38500正是这样一种功能强大的控制芯片。　　其特点是：外围元件少，控制简单、输入功率因数可达0.99。DC／DC功率转换器部分用双正激电路，它不像半桥、全桥转换器等双端电路，变压器不易饱和，并且驱动简单，主开关管可以用MOSFE

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：34kb
    • 提供者：weixin_38566318

  1. 电源技术中的凌力尔特公司推出双输出同步降压型开关稳压控制器LTC3850

  2. 凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出效率为 95% 的双输出同步降压型开关稳压控制器 LTC3850，该器件以一致或比例跟踪驱动所有 N 沟道功率 MOSFET 级。其4V 至24V 的输入范围适合多种应用，如大多数中间总线电压和电池化学组成。强大的片上驱动器允许用大功率外部 MOSFET 产生高达20A 的输出电流，输出电压范围为 0.8V 至 5.5V。应用包括笔记本计算机和平板 PC、便携式仪表、数据通信设备、电信设备、机顶盒、基站和多功能打印机，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-03
    • 文件大小：80kb
    • 提供者：weixin_38645862

  1. 电源技术中的凌力尔特公司推出可驱动MOSFET双输出同步降压型DC/DC控制器LTC3850

  2. 凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出效率为 95% 的双输出同步降压型开关稳压控制器 LTC3850，该器件以一致或比例跟踪驱动所有 N 沟道功率 MOSFET 级。其 4V 至 24V 的输入范围适合多种应用，如大多数中间总线电压和电池化学组成。强大的片上驱动器允许用大功率外部 MOSFET 产生高达 20A 的输出电流，输出电压范围为 0.8V 至 5.5V。应用包括笔记本计算机和平板 PC、便携式仪表、数据通信设备、电信设备、机顶盒、基站和多功能打

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-03
    • 文件大小：99kb
    • 提供者：weixin_38607554

  1. 电源技术中的凌力尔特推出效率为95％的双输出同步降压型开关稳压控制器

  2. 凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出效率为95%的双输出同步降压型开关稳压控制器LTC3850，该器件以一致或比例跟踪驱动所有N沟道功率MOSFET级。其4V至24V的输入范围适合多种应用，如大多数中间总线电压和电池化学组成。强大的片上驱动器允许用大功率外部MOSFET产生高达20A的输出电流，输出电压范围为0.8V至5.5V。应用包括笔记本计算机和平板 PC、便携式仪表、数据通信设备、电信设备、机顶盒、基站和多功能打印机，在这些应用中，降压型DC/DC

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：79kb
    • 提供者：weixin_38719475

  1. 模拟技术中的IRF730 介绍

  2. IRF730, 生产厂家为FairChild, N-MOSFET,功率场效应管,用于大功率、高速,如开关电源、UPS电源、AC和DC电动机控制、继电器和螺线管驱动和其他脉冲电路,400V/5.5A/75W , 散耗功率 75W, 极限电压 400V, 极限电流 5.5A, 代换型号 BUZ60  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：22kb
    • 提供者：weixin_38665193

  1. 大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

  2. 功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源（switch-mode power supplies，SMPS）的整流组件，不过，在选用MOSFET时有一些注意事项。　　功率MOSFET和双极型晶体管不同，它的栅极电容比较大，在导通之前要先对该电容充电，当电容电压超过阈值电压（VGS-TH）时MOSFET才开始导通。因此，栅极驱动器的负载能力必须足够大，以保证在系统要求的时间内完成对等效栅极电容（CEI）的充电。　　在计算栅极驱动电流时，最常犯的一个错误就是将MOSF

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：78kb
    • 提供者：weixin_38690376

  1. 电源技术中的Linear 推出双输出同步降压型开关稳压控制器

  2. 凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出效率为 95% 的双输出同步降压型开关稳压控制器 。 　　LTC3850，该器件以一致或比例跟踪驱动所有 N 沟道功率 MOSFET 级。其 4V 至 24V 的输入范围适合多种应用，如大多数中间总线电压和电池化学组成。强大的片上驱动器允许用大功率外部 MOSFET 产生高达 20A 的输出电流，输出电压范围为 0.8V 至 5.5V。应用包括笔记本计算机和平板 PC、便携式仪表、数据通信设备、电信设备、机顶盒、基站

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-05
    • 文件大小：57kb
    • 提供者：weixin_38593823

  1. 电源技术中的Linear双输出同步降压型开关稳压控制器LTC3850

  2. Linear推出效率为 95% 的双输出同步降压型开关稳压控制器 LTC3850，该器件以一致或比例跟踪驱动所有 N 沟道功率 MOSFET 级。其 4V 至 24V 的输入范围适合多种应用，如大多数中间总线电压和电池化学组成。强大的片上驱动器允许用大功率外部 MOSFET 产生高达 20A 的输出电流，输出电压范围为 0.8V 至 5.5V。应用包括笔记本计算机和平板 PC、便携式仪表、数据通信设备、电信设备、机顶盒、基站和多功能打印机，在这些应用中，降压型 DC/DC 转换器必须以低散热和小

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-04
    • 文件大小：56kb
    • 提供者：weixin_38750644

  1. 电源技术中的凌力尔特同步降压型DC/DC控制器LTC3850效率为95％

  2. 凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)日前推出效率为95%的双输出同步降压型开关稳压控制器LTC3850，该器件以一致或比例跟踪驱动所有N沟道功率MOSFET级。其4V至24V的输入范围适合多种应用，如大多数中间总线电压和电池化学组成。强大的片上驱动器允许用大功率外部MOSFET产生高达20A的输出电流，输出电压范围为0.8V至5.5V。应用包括笔记本计算机和平板PC、便携式仪表、数据通信设备、电信设备、机顶盒、基站和多功能打印机，在这些应用中，降压型DC/D

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-03
    • 文件大小：79kb
    • 提供者：weixin_38607784

  1. 详解如何为D类放大器选取合适的参数

  2. 通过控制开关单元的ON/OFF,驱动扬声器的放大器称D类放大器。以前的模拟放大器的效率停留在50%左右，剩下的50%主要作为热量被消耗。D类放大器的效率相当高，达到80~90%.不仅不浪费电源，有效地利用电源，还能得到较大的功率输出。 　　随着半导体器件和电路技术的发展，如今D类音频放大器在电视/家庭娱乐，音响设备和高性能便携式音频应用中得到广泛的应用。高效率，低失真，以及优异的音频性能都是D类放大器在这些新兴的大功率应用中得到广泛应用的关键驱动因素。然而，如果输出功率桥接电路中的MOSFET如

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：269kb
    • 提供者：weixin_38698863

  1. 大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术.pdf

  2. MOS管 大功率设计 不错资料，共享

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2021-01-15
    • 文件大小：94kb
    • 提供者：weixin_42801773

  1. 基于大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

  2. 1.MOSFET栅极驱动电平的上升时间和下降时间功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源(switch-mode power supplies，SMPS)的整流组件，不过，在选用MOSFET时有一些注意事项。     功率MOSFET和双极型晶体管不同，它的栅极电容比较大，在导通之前要先对该电容充电，当电容电压超过阈值电压(VGS-TH)时MOSFET才开始导通。因此，栅极驱动器的负载能力必须足够大，以保证在系统要求的时间内完成对等效栅极电容(CEI)的充电。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-13
    • 文件大小：178kb
    • 提供者：weixin_38532849
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