随着 5G 无线网络不断发展，无线电前端的性能在射频接收器信号路径中扮演着越来越关键的角色，对于低噪声放大器 (LNA) 尤其如此。随着适用于 LNA 的新型工艺技术（例如硅锗 (SiGe)、砷化镓 (GaAs) 和绝缘硅片 (SOI)）的出现，设计人员必须重新评估 LNA 参数（例如噪声、灵敏度、带宽和功率）的性能权衡，以便有效地使用这些工艺技术。 　　前端的重要性无论怎样强调都不过分，因为它在很大程度上决定了系统在弱信号情况下的终性能以及可实现的误码率。如果 LNA 的性能不合要求，为满足