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Error Correction Codes for Non-Volatile Memories_Springer.2008.06.pdf
书名:用于非易失性存储器的纠错编码。 主要讲述NOR Flash、NAND Flash等存储器件的原理以及在这些器件应用过程中经常采用的纠错编码,例如HAMMING码、BCH码、RS码等。
所属分类:
Flash
发布日期:2010-01-23
文件大小:6mb
提供者:
gaofong
基于arm9的智能小车设计
本系统包括发送端和接收端2部分,两部分均采用Samsung公司生产的S3C2410处理器做硬件开发平台。S3C2410在片上集成了丰富的组件:分开的16 KB指令Cache和16 KB数据Cache、用于虚拟存储器管理的MMU、支持STN和TFT的LCD控制器、NAND Flash启动装载器、具有片选逻辑和SDRAM控制器的系统管理器、3通道UART、4通道DMA、4通道PWM定时器、I/O口、RTC、8通道10位ADC和触摸屏接口、I2C总线接口、I2S总线接口、USB主设备、USB从设备、
所属分类:
C
发布日期:2010-04-13
文件大小:6kb
提供者:
wangyanzhoyo
s3c2410开发板概述
S3C2410-P型开发板是基于韩国三星ARM9嵌入式处理器S3C2410的一款嵌入式开发平台。系统运行在200M的主频下更能展现极为出色的性能。 核心板体积小,只有5×7CM,提供了CPU、nand flash、nor flash 、Ethernet controller 等资源,系统的可扩展性非常好,可通过200pin引脚引出CPU所有可用资源。甚至包括Ethernet和USB接口,可以将核心系统直接用在别的系统中。 ①资源丰富:在目前市场上的同类产品中是资源最丰富的。 ②扩展性强:模块通
所属分类:
Flash
发布日期:2010-05-08
文件大小:503kb
提供者:
lemonjoice1027
NAND Flash驱动程序设计
当前各类嵌入式系统开发设计中,存储模块设计是不可或缺的重要方面。NOR和 NAND是目前市场上两种主要的非易失闪存技术。NOR Flash存储器的容量较小、写入速度较慢,但因其随机读取速度快,因此在嵌入式系统中,常用于程序代码的存储。与NOR相比,NAND闪存的优点是容量大,但其速度较慢,因为它的I/O端口只有8或16个,要完成地址和数据的传输就必须让这些信号轮流传送。NAND型Flash具有极高的单元密度,容量可以比较大,价格相对便宜。
所属分类:
Flash
发布日期:2010-08-20
文件大小:252kb
提供者:
vivier001
半导体存储器与FLASH存储器
主要讲述了半导体存储器、FLASH存储器的基本知识,以及ROM RAM的区别,NOR FLASH、NAND FLASH的区别
所属分类:
硬件开发
发布日期:2011-04-27
文件大小:38kb
提供者:
kg1215
大容量NAND FLASH在ARM嵌入式系统中的设计与实现
存储空间是按照块和页的概念来组织的,一个芯片分为1 024个块,每个块有32页,每一页有528 B。528 B中分为512 B的数据区和16个字节的空闲区,空闲区用于存放ECC代码、坏块信息和文件系统相关代码。一个528 B的数据寄存器作为数据缓冲单元,用来实现I/0缓冲和存储器之间的数据传输。芯片的存储阵列组织如图2所示。
所属分类:
硬件开发
发布日期:2008-10-15
文件大小:359kb
提供者:
xxxiun
大容量NAND FLASH在ARM嵌入式系统中的设计与实现.doc
随着嵌人式系统在数码相机、数字摄像机、移动电话、mp3音乐播放器等移动设备中越来越广泛的应用,FLASH存储器已经逐步取代其他半导体存储元件,成为嵌入式系统中主要数据和程序载体。
所属分类:
硬件开发
发布日期:2008-11-10
文件大小:362kb
提供者:
xxq128
nand flash驱动
大容量数据存储是单片机应用系统的瓶颈,受到容量、功耗、寻址方式的约束。突破容量限制,可以很大程度上扩展和提高应用系统的总体功能。Sumsung公司的NAND结构Flash存储器件是一款性价比很高的超大容量数据存储器件,在MP3、U盘、数码相机和PDA中有广泛的应用,且市场占有份额逐年加大。用该器件作为各种单片机尤其是嵌入式系统的数据存储器,可以完美地解决容量限制,实现灵活操作,势必成为数据存储的主流方向。
所属分类:
硬件开发
发布日期:2009-01-19
文件大小:28kb
提供者:
cache_wang
嵌入式系统中Nand-Flash的原理及应用
当前各类嵌入式系统开发设计中,存储模块是不可或缺的重要方面。NOR和NAND是目前市场上两种主要的非易失闪存技术。Nor-flash存储器的容量较小、写入速度较慢,但因其随机读取速度快,因此在嵌入式系统中,常应用在程序代码的存储中。
所属分类:
其它
发布日期:2020-08-14
文件大小:154kb
提供者:
weixin_38716556
星载高速大容量存储器文件化坏块管理设计
为保证星载高速大容量存储器高速稳定的存储速率,需对NAND Flash存储芯片中因单粒子翻转或超过擦除极限而在写入时出现的坏块进行管理。文件化坏块管理采用链表的方式将坏块、分流水级未使用块和分有效载荷数据存储块分别链接成不同的文件,并采用四级流水乒乓缓冲机制快速替换写入失败块。运行于型号任务中的文件化坏块管理,解决了因数据写入出现坏块时的存储速率抖动问题,实现了四倍于单流水级的写入速率对多有效载荷数据分文件进行稳定存储,从而保证了载荷数据的正确性和完整性。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-16
文件大小:276kb
提供者:
weixin_38683193
存储/缓存技术中的三星48层3D V-NAND闪存技术揭秘
三星已经连续推出两代立体堆叠3D闪存,分别有24层、32层,并已用于850 EVO、850 Pro等多款固态硬盘产品,2015年8月正式量产首款可应用于固态硬盘(SSD)中的48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪存储器已经出现在市场上了,TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。 三星(Samsung)早在2015年8月就发布其256Gb的3位元多级单元(MLC) 3D V-NAND快闪存
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-16
文件大小:587kb
提供者:
weixin_38659248
存储/缓存技术中的Flash存储器闪存工作原理及具体步骤
什么是闪存?了解闪存最好的方式就是从它的“出生”它的“组成”均研究的透彻底底的。 闪存的存储单元为三端器件,与场效应管有相同的名称:源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层,用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。采用这种结构,使得存储单元具有了电荷保持能力,就像是装进瓶子里的水,当你倒入水后,水位就一直保持在那里,直到你再次倒入或倒出,所以闪存具有记忆能力。 与场效应管一样,闪存也是一种电压控制型器件。NAND型闪存的擦和写均是基于隧道效应,电
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-15
文件大小:145kb
提供者:
weixin_38731979
PCM与存储器技术生命周期以及技术比较
相变存储器(PCM)是新一代非挥发性存储器技术。透过比较PCM与现有的SLC和MLC NAND快闪存储器以及硬碟驱动器(HDD) 和固态硬碟(SSD)等系统解决方案,*估PCM的相对成本、效能和可靠度,可以了解PCM适用于哪里些应用领域,以及这项新技术的潜在价值。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-23
文件大小:148kb
提供者:
weixin_38663516
从NAND闪存中启动U-BOOT的设计
U-BOOT 支持ARM、 PowerPC等多种架构的处理器,也支持Linux、NetBSD和VxWorks等多种操作系统,主要用来开发嵌入式系统初始化代码bootloader。bootloader是芯片复位后进入操作系统之前执行的一段代码,完成由硬件启动到操作系统启动的过渡,为运行操作系统提供基本的运行环境,如初始化CPU、堆栈、初始化存储器系统等,其功能类似于PC机的BIOS.
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-22
文件大小:73kb
提供者:
weixin_38669093
相变存储器(PCM)与存储器技术的比较
相变存储器(PCM)是新一代非挥发性存储器技术。透过比较PCM与现有的SLC和MLC NAND快闪存储器以及硬碟驱动器(HDD) 和固态硬碟(SSD)等系统解决方案,*估PCM的相对成本、效能和可靠度,可以了解PCM适用于哪里些应用领域,以及这项新技术的潜在价值。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-19
文件大小:158kb
提供者:
weixin_38514322
基于DSP的Flash存储器坏块自动检测系统
随着电子技术飞速发展,智能电子产品随处可见,如PC机、移动电话、PDA、数码相机、游戏机、数字电视等,而诸如此类的电子产品的核心器件往往离不开存储器。无论是从存储器的物理结构、存储容量、数据读写速度、可靠性、耐用性,还是产品的实用性方面。其种类繁多。然而由于种种原因,越来越多的电子产品采用数据传输快、容量大的NAND型Flash存储器。虽然NAND型Flash具有许多优点,但其有随机产生不可避免的坏块,如果不能很好解决该坏块将导致高故障率。因此,这里提出一种基于DSP的Flash存储器坏块自动检
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-24
文件大小:317kb
提供者:
weixin_38685600
PCM与存储器技术生命周期以及技术比较
相变存储器(PCM)是新一代非挥发性存储器技术。透过比较PCM与现有的SLC和MLC NAND快闪存储器以及硬碟驱动器(HDD) 和固态硬碟(SSD)等系统解决方案,*估PCM的相对成本、效能和可靠度,可以了解PCM适用于哪里些应用领域,以及这项新技术的潜在价值。 当探讨PCM在存储器领域的定位时,必须注意其为具有重要优势的补充技术 (特别是当系统需求是重要的考虑因素的情况),而非替代其它存储器的储存技术。不论是作为RAM还是NAND快闪存储器的补充,只要使用适量的PCM就能改进企业级计算
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-04
文件大小:137kb
提供者:
weixin_38745925
惠瑞捷增加并行机制以缩减存储器测试开发时间
惠瑞捷半导体科技宣布将可编程接口矩阵应用于Verigy V5000e 工程工作站,以帮助存储器制造商在应用V5000e进行工程,测试开发和调试时获得并行测试能力。凭借该矩阵,V5000e 可以并行测试12颗芯片(DUT),减少产线上的操作人员的时间,同时大幅度提高了总产能。此矩阵还将V5000e的引脚数量从128提高到768个测试器资源引脚,从而能够测量具有更高引脚数量的多种类型存储器芯片,包括NOR、NAND、DRAM、SRAM以及 MCP。 由于产品寿命周期不断缩短,制造商需要将测试开
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-30
文件大小:57kb
提供者:
weixin_38625048
工业电子中的QuickLogic推出全功能NAND闪存控制器解决方案
QuickLogic公司宣布,为其超低功耗PolarPro和EclipseII可编程逻辑系列推出功能齐全的NAND闪存控制器解决方案。基于客户的需求,QuickLogic NAND闪存控制器解决方案专为用于便携式应用的各种应用处理器而设计,例如Marvel PXA2xx 应用处理器系列和Analog Devices Blackfin DSP系列。此次推出的新产品扩展了QuickLogic存储解决方案产品线阵容,包括从微型硬盘驱动器和SD卡存储器到NAND闪存的各种产品。 NAND闪存可为便携
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-08
文件大小:50kb
提供者:
weixin_38559346
DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存储器分析
内存的正式名字叫做“存储器”,是半导体行业三大支柱之一。2016年半导体市场规模为3400亿美金,存储器就占了768亿美元。对于你身边的手机、平板、PC、笔记本等所有电子产品来说,存储器就类似于钢铁之于现代工业,是名副其实的电子行业“原材料”。 存储器芯片领域,主要分为两类:易失性和非易失性。易失性:断电以后,存储器内的信息就流失了,例如 DRAM,主要用来做PC机内存(如DDR)和手机内存(如LPDDR),两者各占三成。非易失性:断电以后,存储器内的信息仍然存在,主要是闪存(Nand F
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-20
文件大小:495kb
提供者:
weixin_38652196
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