模拟信号处理及功率管理解决方案供应商Zetex Semiconductors近日推出三款为有限驱动电压应用设计的N沟道增强模式MOSFET。       这三款新产品分别为20V的ZXMN2B03E6(SOT236封装)、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F(两者均为SOT23封装)。这些器件均具有1.8VGS条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1.2V电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。       三款新MOSFET可确保1.8VGS条件下