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  1. 密勒电容效应 密勒电容效应

  2. •對低頻響應有影響的“大C”→短路(高頻時)。 •對高頻響應有影響的“C”← 主動裝置各端間所感應的”C” 網路連線間的“C效應” •對反相放大器(Vo與Vi差180°→Av<0負值) 輸出入C↑⇐ 元件輸出入端間”極間電容”及放大器“增益”

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2010-01-15
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：wys3433533

  1. 宽带互导型放大器MAX435／MAX436.pdf

  2. 互导型放大器(又称跨导型放大器)的输入信号 是电压量，输出信号是电流量，其增益称为互导 Gm。互导型放大器是一种电压／电流模式混合电 路，由于其内部只有电压一电流变换级和电流传输 级，而没有电压传输级，因此没有大摆幅电压信号和 密勒倍增效应，从而具有频带宽、高频性能好及大信 号转换速度高等特性。互导型放大器的电路结构简 单，电源电压和功耗均得到了降

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-06-12
    • 文件大小：80896
    • 提供者：huihuiwu009

  1. 密勒效应的基本概念解析

  2. 密勒效应（Miller effect）的基本概念解析，有分析公式。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-10-11
    • 文件大小：33792
    • 提供者：yourxianbin

  1. MOSFET使用经验

  2. 一点MOSFET使用经验 MOSFET 驱动器以驱动器的输出峰值电流驱动能力来 表示。这个峰值电流驱动能力通常在两个条件之一下给 出。这两个条件为 MOSFET 驱动器输出短路到地或 MOSFET驱动器输出处于某一特定电压值（通常为4V， 因为这是 MOSFET 开始导通并且密勒效应开始起作用 时的栅极门限电压）。

  3. 所属分类：制造

  1. 密勒效应的简要介绍和影响

  2. 关于密勒效应的介绍及其对放大电路的影响，为文本文档2.1kb

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-04-09
    • 文件大小：24576
    • 提供者：wangcuirong

  1. 模电 数电 单片机笔试及面试问题.pdf

  2. 该文档包括数电、模电、单片机、计算机原理等笔试问题，还讲解了关于面试的问题该如何解答，对大家有一定的帮助电流放大就是只考虑输岀电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 一些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大 功率放大就是考虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已。 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2019-10-12
    • 文件大小：664576
    • 提供者：fromnewword

  1. TI高精度实验室-压摆率 2.pdf.pdf

  2. TI高精度实验室-压摆率 2.pdfpdf,TI高精度实验室-压摆率 2.pdfBody Effect on Slew Rate Gate Drain ource Body P+ N-Well P-Substrate Body Capacitance 20pF 3 TEXAS INSTRUMENTS o Remember from the first slew rate video that each input pin of an op-amp is connected to a transi

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38743737

  1. 模拟电路和数字电路笔试知识和面试知识.pdf

  2. 每次面试都被问到模电和数电，因此想给大家分享一份关于模拟电子技术的面试题，希望有所帮助电流放大就是只考虑输出电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大。 功率放大就是老虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2019-08-18
    • 文件大小：628736
    • 提供者：maosheng007

  1. 元器件应用中的六种IGBT中的MOS器件隔离驱动入门

  2. MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的表态驱动功率接近于零。但 是栅极和源极之间构成了一个栅极电容Cgs，因而在高频率的交替开通和需要关断时需要一定的动态驱动功率。小功率MOSFET的Cgs一般在 10-100pF之内，对于大功率的绝缘栅功率器件，由于栅极电容Cgs较大。一般在1-100nF之间，因而需要较大的动态驱动功率。更由于漏极到栅极 的密勒电容Cdg，栅极驱动功率往往是不可忽视的。     因IGBT具有电流拖

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：63488
    • 提供者：weixin_38610717

  1. 如何实现开环推挽逆变器软开关

  2. 电池供电的逆变器，为了减少回路中串联的功率管数量，多采用推挽电路，其中的MOSFET多工作在硬开关状态，硬开关状态有以下弊端： 　　1、功率管开关损耗大，如图1所示。MOSFET关断时，D极电压上升，沟道电流下降，存在着VI同时不为零的时间，由此带来了开关损耗，并且这个损耗随着工作频率的提高而加大，限制了更高频率的采用。 　　2、为了避免两管同时导通，设置了较大的死区时间，也因此而带来了占空比的损失，其产生的后果是，功率管利用率降低，需要更大电流的功率管，电源脉动电流增大，引起滤波电解过热。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：108544
    • 提供者：weixin_38607552

  1. 模拟技术中的用于高阻抗电路的低失真、低噪声放大器

  2. 电路的功能 　　近年来，噪声及失真特性得到改进的低噪声放大器品种繁多，已无须用分立元件制作了。此外，也有为了使噪声减到最小而降低源极电阻，同时输入端的偏流IR又比通用OP放大器还大的OP放大器（如NE5534等）。但是，有时很难在高输入阻抗电路中使用这些放大器。 　　本文提供的电路是在低失真、低噪声OP放大NE5534A的基础上加分立元件、并把输入偏置电路作成FET差动电路，使失真和噪声均降到很小。另外，输出电路电路为推挽式，可以使驱动更低的负载电阻。 　　电路工作原理 　　在输入级使用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：187392
    • 提供者：weixin_38666823

  1. 模拟技术中的宽带互导型放大器MAX435/MAX436

  2. １ 概述 互导型放大器（又称跨导型放大器）的输入信号是电压量，输出信号是电流量，其增益称为互导Ｇｍ。 互导型放大器是一种电压／电流模式混合电路，由于其内部只有电压—电流变换级和电流传输级，而没有电压传输级，因此没有大摆幅电压信号和密勒倍增效应，从而具有频带宽、高频性能好及大信号转换速度高等特性。互导型放大器的电路结构简单，电源电压和功耗均得到了降低。２ 主要性能指标 ＭＡＸ４３５／ＭＡＸ４３６是美国ＭＡＸＩＭ公司生产的互导型放大器，ＭＡＸ４３５是差分输出型，ＭＡＸ４３６是单端输出型，其引脚排

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：76800
    • 提供者：weixin_38742291

  1. 50W厚膜功率放大电路

  2. 图(a)是由STK084G厚膜功放构成的50W输出功率放大电路。STK084G是20kHz、50W时失真率达0.01％的厚膜集成芯片，其内部等效电路如图(b)所示。输入级是由VT4和VT5构成的电流镜像电路，把差动输出变换为单端输出，同时获得较大增益。中间级可处理较大振幅，决定转换速率，其工作电流应尽量大，采用VT8基极接地方式以减少密勒效应对高频特性的影响。VTl和VT6为恒流偏置电路，可以抑制电源变动对电路的影响。VT7用于输出晶体管偏置，消除基射极间电压Ube的不灵敏区，并进行温度补偿。输

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-03
    • 文件大小：248832
    • 提供者：weixin_38700790

  1. 用于高阻抗电路的低失真、低噪声放大器

  2. 电路的功能 　　近年来，噪声及失真特性得到改进的低噪声放大器品种繁多，已无须用分立元件制作了。此外，也有为了使噪声减到而降低源极电阻，同时输入端的偏流IR又比通用OP放大器还大的OP放大器（如NE5534等）。但是，有时很难在高输入阻抗电路中使用这些放大器。 　　本文提供的电路是在低失真、低噪声OP放大NE5534A的基础上加分立元件、并把输入偏置电路作成FET差动电路，使失真和噪声均降到很小。另外，输出电路电路为推挽式，可以使驱动更低的负载电阻。 　　电路工作原理 　　在输入级使用了双

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：271360
    • 提供者：weixin_38644233

  1. 六种IGBT中的MOS器件隔离驱动入门

  2. MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的表态驱动功率接近于零。但 是栅极和源极之间构成了一个栅极电容Cgs，因而在高频率的交替开通和需要关断时需要一定的动态驱动功率。小功率MOSFET的Cgs一般在 10-100pF之内，对于大功率的绝缘栅功率器件，由于栅极电容Cgs较大。一般在1-100nF之间，因而需要较大的动态驱动功率。更由于漏极到栅极 的密勒电容Cdg，栅极驱动功率往往是不可忽视的。     因IGBT具有电流拖

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：57344
    • 提供者：weixin_38502290