在过去数十年中，IC设计方法经历了几次发展的拐点。目前我们正面临又一个拐点，在这个拐点设计师需要在设计中具有更强的预测能力以弥补制造工艺如光刻和蚀刻工艺中产生的变化。在90纳米以下工艺， GDSII图形中的正方形和长方形被转换成硅片上的等高线。但是，无论对这些理想的形状采取了多少种OPC/RET方法，他们都将转换成等高线，并因此而改变了芯片有源和无源层的特性。这种可变性在整个工艺窗内变得更严重，因为设计实现和分析是基于理想的GDSII形状，设计阶段和实际的晶圆之间存在巨大的差异。随着几何尺寸的缩