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  1. 国外巨磁阻抗传感器检测电路技术的发展动态.pdf

  2. 国外巨磁阻抗传感器检测电路技术的发展动态.pdf,基于非晶态合金材料巨磁阻抗（GMI）效应和非对称巨磁阻抗（AGMI）效应磁传感器是近20年来磁传感器技术领域的研究热点之一。一些国外学者认为非晶态合金材料适合于制作能同时满足分辨力高、响应速度快、功耗低等要求的微磁传感器。然而，迄今为止，国外研发的绝大多数高分辨力GMI磁传感器仍停留在原理样机阶段，其主要技术指标甚至低于商品化各向异性磁阻（AMR）和巨磁电阻（GMR）磁传感器。简要叙述了非晶态合金材料的GMI效应和退火处理对GMI效应的影响，重

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  1. Sr0.9K0.1Zn1.8Mn0.2As2: a ferromagnetic semiconductor with colossal magnetoresistence

  2. Sr0.9K0.1Zn1.8Mn0.2As2: 一个具有巨磁阻效应的铁磁半导体，杨小军，陶前，我们发现(Sr,K)(Zn,Mn)2As2是一个稀磁半导体块材,能通过Sr位K掺杂和Zn位Mn掺杂来独立地调控载流子和自旋的浓度。掺杂的SrZn2As2具有六角CaAl2S

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    • 发布日期：2020-02-10
    • 文件大小：446kb
    • 提供者：weixin_38631454

  1. 多晶磁性块材电导率晶粒尺寸效应及巨磁阻效应

  2. 多晶磁性块材电导率晶粒尺寸效应及巨磁阻效应，罗威，朱林利，针对多晶磁性块体材料电导率的尺寸效应，通过Boltzmann方程并虑及电子自旋相关的晶界散射讨论了多晶磁性块材电子在晶粒内部的分布及

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    • 发布日期：2019-12-30
    • 文件大小：357kb
    • 提供者：weixin_38599712

  1. 巨磁阻效应

  2. 很不错哦有机会还是要多多学习学习的巨磁阻效应获得过诺贝尔奖啊 ！！！！！

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    • 发布日期：2013-04-08
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：u010211835

  1. 巨磁电阻结构组成特点_巨磁电阻的应用

  2. 什么是巨磁电阻 巨磁阻效应（Giant Magnetoresistance，缩写：GMR）是一种量子力学和凝聚体物理学现象，磁阻效应的一种，可以在磁性材料和非磁性材料相间的薄膜层（几个纳米厚）结构中观察到。2007年诺贝尔物理学奖被授予发现巨磁阻效应（GMR）的彼得·格林贝格和艾尔伯·费尔。巨磁电阻就是电阻值对磁场变化巨敏感的一种电阻材料。 巨磁电阻现象 物质在一定磁场下电阻改变的现象，称为“磁阻效应”，磁性金属和合金材料一般都有这种磁电阻现象，通常情况下，物质的电阻率在磁场中仅产生轻微的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-17
    • 文件大小：106kb
    • 提供者：weixin_38692707

  1. 巨磁电阻结构组成特点及应用

  2. 什么是巨磁电阻 　　巨磁阻效应（Giant Magnetoresistance，缩写：GMR）是一种量子力学和凝聚体物理学现象，磁阻效应的一种，可以在磁性材料和非磁性材料相间的薄膜层（几个纳米厚）结构中观察到。2007年诺贝尔物理学奖被授予发现巨磁阻效应（GMR）的彼得·格林贝格和艾尔伯·费尔。巨磁电阻就是电阻值对磁场变化巨敏感的一种电阻材料。 　　巨磁电阻现象 　　物质在一定磁场下电阻改变的现象，称为“磁阻效应”，磁性金属和合金材料一般都有这种磁电阻现象，通常情况下，物质的电阻率在磁场中

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：103kb
    • 提供者：weixin_38559866

  1. 一文读懂磁传感器

  2. 我们伟大中华祖先的四大发明之一——指南针，可谓是无人不知啊，对于现代来讲，它可算得上是磁传感器的鼻祖了。而在当今的电子时代，磁传感器在电机、电力电子技术、汽车工业、工业自动控制、机器人、办公自动化、家用电器及各种安全系统等方面都有着广泛的应用。磁传感器磁传感器是一种把磁场、电流、应力应变、温度、光等外界因素引起的敏感元件磁性能变化转换成电信号，以这种方式来检测相应物理量的器件。用于感测速度、运动和方向，应用领域包括汽车、无线和消费电子、军事、能源、医疗和数据处理等。磁传感器市场按照技术进步的发展

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：299kb
    • 提供者：weixin_38642864

  1. 隧道磁阻技术（TMR）及其应用简介

  2. 1、磁阻概念：材料的电阻会因外加磁场而增加或减少，电阻的变化量称为磁阻(Magnetoresistance)。物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应。同霍尔效应一样，磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的。从一般磁阻开始，磁阻发展经历了巨磁阻(GMR)、庞磁阻(CMR)、异向磁阻(AMR)、穿隧磁阻(TMR)、直冲磁阻(BMR)和异常磁阻(EMR)。 　　2、磁阻应用：磁阻效应广泛用于磁传感、磁力计、电子罗盘、位置和角度传感器、车辆探测、GPS导航、仪器仪表、磁存储(磁卡、硬

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    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：248kb
    • 提供者：weixin_38524472

  1. Allegro MicroSystems推出全新变速箱速度传感器IC

  2. Allegro MicroSystems宣布推出公司的获ASIL B的变速箱速度传感器系列产品A19520、A19530和A19570，这些新磁传感器IC是Allegro近20年产业应用经验和技术进步的结晶，其中包括了先进的巨磁阻（GMR）和霍尔效应技术，使新产品成为满足当今变速箱应用苛刻要求的理想选择。 　　Allegro Microsystems速度传感器产品线总监Peter Wells解释道：“到目前为止，还没有经过ISO 26262设计流程的变速箱速度传感器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：191kb
    • 提供者：weixin_38564826

  1. Allegro MicroSystems推出的变速箱速度传感器IC

  2. Allegro MicroSystems宣布推出公司的获ASIL B的变速箱速度传感器系列产品A19520、A19530和A19570，这些新磁传感器IC是Allegro近20年产业应用经验和技术进步的结晶，其中包括了先进的巨磁阻（GMR）和霍尔效应技术，使新产品成为满足当今变速箱应用苛刻要求的理想选择。 　　Allegro Microsystems速度传感器产品线总监Peter Wells解释道：“到目前为止，还没有经过ISO 26262设计流程的变速箱速度传感器。我们感到自豪的是，所有这三

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：47kb
    • 提供者：weixin_38611230