提出了一种新型的具有部分轻掺杂P柱（PD）的超结横向双扩散金属氧化物半导体（SJ-LDMOS）。首先，部分P柱电荷的减少确保了电荷平衡并抑制了衬底辅助的耗尽效应。其次，由P / P-结产生的新的电场峰值调节了表面电场的分布。两者都会导致高击穿电压（BV）。此外，由于相同的导电路径，PD SJ-LDMOS的比导通电阻（R-on，R-sp）与常规SJ-LDMOS大致相同。仿真结果表明，PD SJ-LDMOS的表面横向电场的平均值在漂移长度为15μm时达到20 V /μm，因此BV为300V。