当我们考虑在高维时空中带电的AdS黑洞，并且沿着共存曲线的分子数密度在数值上扩展到高维情况。 发现随着总尺寸的增大，小黑洞和大黑洞的数密度差减小。 特别地，我们发现构型熵是温度降低的凹函数，并且在临界点（二阶相变）达到最大值。 此外，总尺寸越大，在构造熵中的凹函数越多，而在减压中的凸函数越多。