在具有拓扑扇区的量子场论中，感兴趣的非扰动量是拓扑磁化率χt。 原则上，通过蒙特卡洛模拟测量χt似乎很简单。 但是，对于局部更新算法和精细的晶格间距，这往往很困难，因为蒙特卡洛历史很少更改拓扑扇区。 在这里，我们测试一种测量χt的方法，即使只有一个扇区的数据可用。 它基于子卷中的拓扑电荷，我们将其表示为平板。 假设这些电荷的高斯分布，该方法可以评估χt，正如我们通过非线性σ模型的数值结果所证明的那样。

我们用莫比乌斯畴壁费米子描述的具有动态夸克味的晶格QCD的拓扑敏感性。 通过残留质量测量的违反手性对称性保持在1 MeV或更小。 我们使用W. Bietenholz，P. de Forcrand和U. Gerber，J. High Energy Phys。提出的方法，测量模拟晶格的“平板”子体积中拓扑电荷密度的波动。 12、070（2015）和W.Bietenholz，K.Cichy，P.de Forcrand，A.Dromard和U.Gerber，PoS LATTICE 2016、321（2