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  1. 基于空间微四面体的异质材料零件建模方法

  2. 通过建立实体、微四面体、STL 面片、空间节点四者之间的对应关系，进行 HEO实体模型的逐层分解，从而形成被离散化的微四面体空间单元网格节点，并赋予网格节点相应的材料信息，再根据单元网格节点的三维位置及材料值逐一计算各微四面体表面处的结构和材料分布，进而实现整个HEO边界曲面至内部的结构及材料设计

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2013-06-13
    • 文件大小：847kb
    • 提供者：xz278873937

  1. 钻孔密封段异质结构变形损伤及影响因素分析

  2. 基于钻孔密封段典型层状异质结构模型,利用弹性力学及厚壁圆筒理论对钻孔密封段层状异质结构间不协调变形特性进行研究,并对其影响因素及影响尺度进行数值分析。分析结果表明,钻孔密封段异质结构间漏气裂隙主要由界面处径向和切向不协调变形损伤所致,且煤岩自身物理力学性质弹性模量E、泊松比v,围岩应力p,应力传递系数k、接触面摩擦阻力系数f及材料厚度(内外径比τ)等是造成钻孔密封段异质结构间不协调变形的主要因素。

  3. 所属分类：其它

  1. 纳米棒构筑的花状Au/CdS异质结纳米材料的合成及其表征

  2. 纳米棒构筑的花状Au/CdS异质结纳米材料的合成及其表征，孔庆成，吴绒，用金纳米棒诱导水热生长法首次合成花状金/硫化镉(Au/CdS)异质结纳米晶。研究表明，Au纳米棒在花状Au/CdS异质结纳米晶体的合成中起着决�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-04
    • 文件大小：195kb
    • 提供者：weixin_38684328

  1. 高性能低维半导体材料_硅异质结光电探测器_刘雪梅.caj

  2. 二维材料石墨烯、低维化合物材料硒化铟等光电性能良好的半导体材料，可 以与硅衬底结合制备高响应度高探测率等高性能的光电探测器。由于石墨烯与硅 接触时易被调控，本论文主要研究了将氟化石墨烯、掺硼硅量子点等材料与石墨 烯／硅光电探测器结合，对石墨烯进行调控，提升器件的响应特性。

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2020-02-26
    • 文件大小：8mb
    • 提供者：SparkQiang

  1. 贵金属纳米颗粒/金属-有机骨架异质材料的制备及其光催化制氢性能

  2. 贵金属纳米颗粒/金属-有机骨架异质材料的制备及其光催化制氢性能，李睿，高超，考虑到金属-有机骨架材料(MOFs)的特点，将金属-有机骨架和贵金属纳米颗粒进行精确合理的结合，对发展高效光催化剂具有重要的研究意�

  3. 所属分类：其它

  1. 基于酞菁钕为光敏层的红光光敏异质结有机场效应晶体管

  2. 基于酞菁钕为光敏层的红光光敏异质结有机场效应晶体管，汤瑜，姚博，本文合成了一种高吸收系数的酞菁类光敏材料酞菁钕（NdPc2），该材料在可见光区638nm处存在吸收峰，吸收峰靠近红光常用波段；报道了Nd

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-10
    • 文件大小：797kb
    • 提供者：weixin_38588394

  1. Fe/Ni中间层对镁铝异质激光胶焊的影响

  2. Fe/Ni中间层对镁铝异质激光胶焊的影响，王红阳，冯宝强，本文在镁/铝异种金属激光胶接焊的基础上，通过对合金过渡层结构进行优化，分别采用镍箔及镀锌铁箔作为中间层材料，进行镁铝异质�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-09
    • 文件大小：452kb
    • 提供者：weixin_38739164

  1. 含长氟碳链的富勒烯受体材料的合成表征及其在体异质结太阳能电池中的应用

  2. 含长氟碳链的富勒烯受体材料的合成表征及其在体异质结太阳能电池中的应用，张盼，李耀文，通过对富勒烯进行分子结构的修饰，引入长的含氟烷基链，设计合成一种含长氟碳链的新型富勒烯衍生物。该富勒烯衍生物在与P3HT共混�

  3. 所属分类：其它

  1. 硅基薄膜异质结太阳能电池的模拟

  2. 硅基薄膜异质结太阳能电池的模拟，李一平，宋贵才，基于晶体硅薄膜异质结的太阳能电池生产成本低、工作稳定、且具有非常好的光电效应，已成为当今研究的热点。由于ZnO材料有良好的光

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-28
    • 文件大小：668kb
    • 提供者：weixin_38608875

  1. 距离场定义下异质材料CAD信息建模方法

  2. 通过建立实体、微四面体、STL 面片、空间节点四者之间的对应关系，进行 HEO实体模型的逐层分解，从而形成被离散化的微四面体空间单元网格节点，并赋予网格节点相应的材料信息，再根据单元网格节点的三维位置及材料值逐一计算各微四面体表面处的结构和材料分布，进而实现整个HEO边界曲面至内部的结构及材料设计，

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2013-06-13
    • 文件大小：652kb
    • 提供者：xz278873937

  1. 一维含缺陷光子晶体异质结构的电磁传输性质

  2. 利用传输矩阵方法研究了一维含有缺陷的光子晶体异质结构的电磁传输性质.结果表明,由两种正常材料组成的一维光子晶体异质结构,由于光子局域特性,会在光子带隙内出现缺陷模.当在此异质结构界面引入一种正常材料作为缺陷层时,缺陷模的频率随着缺陷层厚度的增加向低频移动;缺陷模的电磁场在光子晶体异质结构界面和缺陷处具有很强的局域性.而当引入一磁单负材料作为缺陷时,发现此种缺陷型异质结构会出现"双模特性",两缺陷模的频率及频率间隔可以通过改变负磁导率材料缺陷层的厚度来调节,而两缺陷模的电场在光子晶体与单负材料的界

  3. 所属分类：其它

  1. 碲镉汞异质结能带结构的优化设计

  2. 分别对带隙较宽（较窄）的* 型材料在带隙较窄（较宽）的+ 型材料之上的碲镉汞（,-.）异质结的能带结构进行 了理论分析/ 在应用的理论模型中提出了一个简单的载流子浓度近似模型用于计入载流子简并效应和导带非抛物 线性，同时还考虑到了价带失配的影响/ 就* 0 + 结位置（ !1 ）和界面电荷密度（"）两个参数对,-. 异质结能带结构 的影响进行了系统分析，发现这些影响是不可忽略的/ 根据这些影响特征，进一步得出了!1 和" 参数之间的优化 设计规律

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-03-14
    • 文件大小：362kb
    • 提供者：gaodatao

  1. 显示/光电技术中的SEED列阵研制适合于倒装焊结构的量子阱外延材料

  2. 1．量子阱结构设计 　　多量子阱吸收区的设计主要应考虑阱宽、垒宽、阱深和阱的数目的选取。吸收区中所采用的异质结构为 GaAs/Ga1-xAlxAs材料系的多量子阱，组分x取为0.3左右。阱宽的选择首先应考虑使激子吸收峰处于工作波长附近 。我们所研制的SEED器件工作波长要求在850～860 nm范围，根据理论计算，取阱宽为10 nm，此时重空穴激子吸 收峰在850 nm附近。另一方面，量子阱限制Stark效应所引起的激子吸收峰红移随阱宽的增加而增大，因此适当增 加阱的宽度可以增强QCSE效应。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：151kb
    • 提供者：weixin_38653694

  1. 基础电子中的双异质结激光器

  2. 双异质结基本结构是将有源层夹在同时具有宽带隙和低折射率的两种半导体材料之间，以便在垂直于结平面的方向（横向）上有效地限制载流子和光子。用此结构于1970年实现了GaAlAs／GaAs激射波长为0.89 μm的半导体激光器在室温下能连续工作。图表示出双异质结激光器的结构示意图和相应的能带图在正向偏压下，电子和空穴分别从宽带隙的N区和P区注进有源区。它们在该区的扩散又分别受到P－p异质结和N－p异质结的限制，从而可以在有源区内积累起产生粒子数反转所需的非平衡载流子浓度。同时，窄带隙具有源区有高的折射

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：52kb
    • 提供者：weixin_38630463

  1. 基础电子中的单异质结激光器

  2. 单异质结激光器可以分为同型异质结（N－n或P－p）和异型异质结（N－p或P-n），图说明了能带结构情况。 　　图 单异质结激光器能带结构示意图 　　以N－n同型单异质结激光器能带为例，当两种半导体材料紧密接触时形成异质结时，由于禁带宽度大的N型半导体的费米能级比禁带宽度小的高，所以电子将从前者向后者流动。结果在禁带宽度小的N型半导体一边形成了电子的积累层，而另外—边形成了耗尽层。由此形成了值为LE，的势垒层。在一定电流注入下，有源层积累的非平衡载流子浓度将增加。单异质结激光器的阈值电流密

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：72kb
    • 提供者：weixin_38590309

  1. 微波功率器件材料的发展和应用前景

  2. 1 概述 有Ge、Si、Ⅲ-V化合物半导体等材料制成的工作在微波波段的二极管、晶体管称为微波器件。微波即波长介于1m~1mm之间的电磁波，相应频率在300MHz~300GHz之间，表1是常用波段的名称及相应的频率范围。 微波半导体器件在微波系统中能发挥各方面性能，归纳起来，即在微波功率产生及放大，控制、接收三个方面。而微波功率器件要求有尽可能大的输出功率和输出效率及功率增益。 进入20世纪90年代后，由于MOCVD(金属有机化学气相淀积)和MBE(分子束外延)技术的发展，以及化合物材料

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：157kb
    • 提供者：weixin_38704786

  1. SOI材料和功率器件衬底

  2. SOI衬底材料用于制备高速、高抗辐射和低功耗器件和大规模集成电路（IC），与其它材料相比它具有速度高、抗辐射性强、功耗小等优点，应用于军事和航天等特殊领域，但是SOI衬底材料制备困难，成本高[8]。目前，制备SOI材料常用的技术有三种[9]：在蓝宝石衬底上的异质外延技术（SOS）、氧离子注入隔离技术（SMIOS）、硅-硅直接键合技术（SDB）。异质外延工艺是在与硅材料晶格结构相近的绝缘材料蓝宝石上面外延一层单晶硅。由于蓝宝石和硅的晶格结构的不完全相同导致硅外延层中缺陷密度高，在外延的界面处产生应

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：56kb
    • 提供者：weixin_38618746

  1. 使用3D RC网络建模异质材料中的介电响应

  2. 使用3D RC网络建模异质材料中的介电响应

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-22
    • 文件大小：972kb
    • 提供者：weixin_38608875

  1. 量子尺寸的单异质结激光器

  2. 本文分析单异质材料制造的量子尺寸激光器的性质。在这些材料的导带和禁带中存在着断点，而且在这两个带的边缘上电位的跃变具有相同的符号。

  3. 所属分类：其它

  1. EffectiveWaves.jl：一种用于计算异质材料中集合平均波的软件包。 重点是颗粒和多Kong材料的波传播，散射和反射-源码

  2. EffectiveWaves.jl：一种用于计算异质材料中集合平均波的软件包。 重点是颗粒和多Kong材料的波传播，散射和反射

  3. 所属分类：其它

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