量子通信技术的发展依赖于高稳定性、高可靠性单光子源，在实现单光子发射的诸多物理方案中，基于分立半导体量子点的单光子源具有高亮度、窄线宽、短寿命、易于集成等一系列优点成为具有重要科学价值和应用前景的研究体系。而目前对于实用化的量子点单光子源，需要突破的两个难点就是量子点单光子源的波长向第二、第三光纤通讯窗口拓展和实现量子点单光子源的光纤耦合输出。本文提出结合双层耦合量子点和InGaAs盖层的方法，成功将InAs/GaAs平面量子点的发光波长拓展至1310nm，此外结合微柱刻蚀工艺的优化、有源区附近