在发现惠普（HP）TiO2忆阻器后不久，便根据磁学原理提出了自旋电子忆阻器。 与TiO2忆阻器不同，自旋电子忆阻器的电阻不仅取决于通过器件的电压和电流的历史曲线，而且还与电流密度密切相关。 在这项工作中，我们回顾了基于磁性理论的自旋电子忆阻器件的数学模型，并详细分析了其忆阻效应。 然后，我们提供了一个相应的Simulink模型。 此外，通过将自旋电子忆阻器集成到传统的PID控制电路中，研究了一种新型的紧凑型忆阻PID控制器的实现方法。研究结果可能有助于现代控制技术的进一步发展，特别是在微控制器的
