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  1. 技术突破：LED芯片抗反向静电能力达到3 kV

  2. 韩国研究人员通过在LED芯片中集成旁路二极管的方法将氮化铟镓LED的抗反向静电能力提高到了3kV。来自韩国光技术院(KOPTI)和光州科学技术院的研究人员声称：“这种LED芯片加工简便，可靠性高。”

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：139kb
    • 提供者：weixin_38595606