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  1. 纯铝的电解抛光方案集

  2. 纯铝的电解抛光方案ppt 方案加具体文献分析 辛苦下载的和制作的
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2009-10-30
    • 文件大小:8mb
    • 提供者:a9b1c3
  1. Polish抛光机的PLC程序

  2. 这是Polish抛光机的PLC程序,PLC是三菱的A2N,要用medoc或GX程序打开。
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2008-01-11
    • 文件大小:19kb
    • 提供者:wingwf2000New
  1. PS软件附加使用“磨皮、抛光”工具

  2. PS软件附加使用“磨皮、抛光”工具:使用时,拖入加工好了的图片层,再按F5一次或两次就可以了;图片光亮如嫩,实践中去总结!咨询QQ:413844050
  3. 所属分类:咨询

    • 发布日期:2011-02-07
    • 文件大小:3kb
    • 提供者:espero
  1. SPI抛光规范(SPI A1-SPI D3)

  2. SPI抛光规范(SPI A1-SPI D3)
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2011-03-04
    • 文件大小:91kb
    • 提供者:gl0815
  1. 抛光轨迹仿真

  2. 抛光轨迹仿真,列出轨迹方程及代码,后续还有轨迹密度分析
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2012-10-03
    • 文件大小:506byte
    • 提供者:yidu2011
  1. 智兴抛光砖厂管理软件

  2. 通过智兴ERP快速开发平台开发出来的智兴抛光砖厂管理软件 由于资源大小限制,智兴ERP开发平台请到这里下载:http://download.csdn.net/detail/allanli/5960535
  3. 所属分类:SQLServer

    • 发布日期:2013-08-22
    • 文件大小:18mb
    • 提供者:allanli
  1. C++木材抛光问题

  2. 一堆木材共有N根,已知它们的长度和重量。现在要用一台木工机床把它们依次抛光。机床抛光一根木材之前需要一段准备时间,来进行清理操作和调整机器。机床的准备时间可以这样计算: (a)第一根木材的准备时间为1分钟; (b)抛光一根长度为L重量为W的木材后,再抛光一根长度为L’重量为W’的木材,如果L≤L’并且W≤W’,则不需要准备时间;否则需要1分钟准备时间。 对给出的N根木材,安排合适的抛光顺序,使得总的准备时间最短。例如:共有5根木材,长度和重量分别为(9,4)、(2,5)、(1,2)、(5,3)
  3. 所属分类:C/C++

    • 发布日期:2013-12-07
    • 文件大小:4kb
    • 提供者:u012025949
  1. 威伦触摸屏程序 抛光机

  2. 威伦触摸屏程序 抛光机
  3. 所属分类:制造

    • 发布日期:2016-03-11
    • 文件大小:14kb
    • 提供者:xiaojian88
  1. 蓝宝石基LED外延片背减薄与抛光工艺研究.pdf

  2. 研究了蓝宝石基LED 外延片背减薄过程中去除速率和表面粗糙度与研磨转速和研磨压力的关 系, 比较了不同的磨料颗粒度对去除速率和表面粗糙度的影响, 并研究了抛光过程中表面粗糙度随时间的 变化规律, 为背减薄与抛光工艺的优化提供了依据。
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2009-02-12
    • 文件大小:207kb
    • 提供者:scy83
  1. _PC镜片的抛光与加工.pdf

  2. pc镜片的抛光与加工。
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2019-07-15
    • 文件大小:28kb
    • 提供者:weixin_45411179
  1. 发动机气门过渡曲面砂带抛光过程接触状态分析

  2. 发动机气门过渡曲面砂带抛光过程接触状态分析,宋亚楠,阎秋生,采用砂带抛光方式加工发动机气门颈部过渡曲面,分析了气门过渡曲面抛光加工的特点,建立了气门过渡曲面砂带抛光的运动模型和接触
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-03-04
    • 文件大小:310kb
    • 提供者:weixin_38723527
  1. 大面积金刚石自支撑膜的机械抛光新技术

  2. 大面积金刚石自支撑膜的机械抛光新技术,郭世斌,曲杨,本文研究了一种用抛光等离子体溅射CVD法制备的金刚石自支撑膜新的机械抛光技术。试验探索了转盘转速、金刚石粉颗粒尺寸、磨盘表面
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-03-01
    • 文件大小:323kb
    • 提供者:weixin_38711110
  1. 光催化辅助抛光单晶硅的抛光液研制

  2. 光催化辅助抛光单晶硅的抛光液研制,苑泽伟,杜海洋,:随着电子信息技术高速发展,集成电路等电子元件大量应用,如何高效获取超平坦晶圆已成为当前的主要研究方向。为实现硅晶圆全局
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-02-26
    • 文件大小:290kb
    • 提供者:weixin_38660802
  1. 特殊光电晶体碲锌镉光滑无损伤化学机械抛光

  2. 特殊光电晶体碲锌镉光滑无损伤化学机械抛光,张振宇,郭东明,本文采用Al2O3作研磨剂和SiO2纳米球酸性化学机械抛光液的新工艺对特殊光电功能晶体碲锌镉进行了化学机械抛光研究,并与研磨-机械抛
  3. 所属分类:其它

  1. 圆管外表面电化学抛光机床的设计

  2. 圆管外表面电化学抛光机床的设计,陈远龙,陈政文,针对由难切削材料制成的薄壁长筒类零件,采用常规的机加工很难抛光的问题,结合电化学抛光的特点和薄壁长筒类零件的加工工艺特点
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-02-11
    • 文件大小:286kb
    • 提供者:weixin_38744207
  1. 化学机械抛光中晶圆/抛光垫表面接触分析

  2. 化学机械抛光中晶圆/抛光垫表面接触分析,杜诗文,蒋名国,基于接触力学和流体动力学理论分析了抛光过程中的摩擦学行为,建立了简化的化学机械抛光过程中的有限元模型。通过工艺参数、材料
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-02-02
    • 文件大小:853kb
    • 提供者:weixin_38696458
  1. 固结磨料抛光垫作用下的材料去除速率模型

  2. 固结磨料抛光垫作用下的材料去除速率模型,沈建良,朱永伟,化学机械抛光CMP已经成为IC制造中的关键工艺之一,相关机制模型的研究是当前CMP的热点。在对研磨抛光过程作出适当简化的基础上,推�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-01-31
    • 文件大小:372kb
    • 提供者:weixin_38624332
  1. 超声波磁流变复合抛光中几种工艺参数对材料去除率的影响

  2. 超声波磁流变复合抛光中几种工艺参数对材料去除率的影响,王慧军,张飞虎,本文介绍了一种光学抛光新方法—超声波磁流变复合抛光。文中首先介绍了超声波磁流变复合抛光的基本原理和实验装置。进行了超声波
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-01-20
    • 文件大小:413kb
    • 提供者:weixin_38697444
  1. SITRANS LG240 - Foundation Fieldbus, 经抛光的棒型测量探头- 操作说明[手册].pdf

  2. SITRANS LG240 - Foundation Fieldbus, 经抛光的棒型测量探头- 操作说明[手册]pdf,目录 1关于本文献资料 1.1功能 1.2对象 13使用的标记 2为了您的安全 2.1获得授权的人员. 2合规使用 2.3谨防错误使用 般安全提 566666 2.5CE认证 26 NAMUR推荐… .6 3产品说明 31结构 32作业方式 33包装、运输和仓储 34附件与备件. 10 4安装 4.1一般提示 12 4.2安装提示 12 5与供电装置相连接 5.1准备接线 1
  3. 所属分类:其它

  1. 抛光层流罩图纸

  2. 晶圆制造过程,硅片抛光工艺需要高纯环境,本层流罩下0.1微米直径颗粒数为0个。层流电控连线简单,工作稳定,可分高、中、低三挡风速。
  3. 所属分类:制造

    • 发布日期:2015-09-14
    • 文件大小:127kb
    • 提供者:semitool
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