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  1. C轴择优取向AlN薄膜的制备研究

  2. C轴择优取向AlN薄膜的制备研究,希望对大家有用

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2009-10-27
    • 文件大小：140kb
    • 提供者：hugoli333

  1. 判断晶体取向分析的方法

  2. 判断晶体取向分析的方法，长沙 国防科技大学

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-06-04
    • 文件大小：127kb
    • 提供者：jl123517

  1. Low-temperature growth of highly c-oriented GaN films on Ag substrates with ECR-PEMOCVD

  2. 银衬底上低温沉积GaN薄膜及其性能研究，王帅，秦福文，本文通过利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术，在在镀银硅片衬底上低温沉积高择优取向的GaN。实验�

  3. 所属分类：其它

  1. 利用SrMnO3缓冲层实现Si（001）衬底上La0.7Sr0.3MnO3薄膜择优取向的生长

  2. 利用SrMnO3缓冲层实现Si（001）衬底上La0.7Sr0.3MnO3薄膜择优取向的生长，代红云，王波，本文采用单层SrMnO3（SMO）作为缓冲层，在传统半导体Si(001)衬底上成功制备出具有（110）面择优取向的La0.7Sr0.3MnO3（LSMO）薄膜。SMO/Si异质�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-03
    • 文件大小：413kb
    • 提供者：weixin_38546622

  1. 磁控溅射方法制备In2O3透明薄膜晶体管

  2. 磁控溅射方法制备In2O3透明薄膜晶体管，张莹莹，王雄，采用磁控溅射方法在玻璃衬底上生长了In2O3晶体薄膜。该薄膜具有（111）晶面择优取向，晶粒尺寸达到33 nm。利用光刻工艺制作了以In2O3晶

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-29
    • 文件大小：316kb
    • 提供者：weixin_38559727

  1. 钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的制备及性能

  2. 钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的制备及性能，周东祥，赵俊，钛酸铋钠基无铅压电陶瓷被认为是最有希望取代铅基的压电陶瓷材料，利用晶粒择优取向制备织构化陶瓷，成为提高无铅压电陶瓷性能的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-08
    • 文件大小：560kb
    • 提供者：weixin_38689223

  1. 表面能对多晶FeS2薄膜晶体择优取向的影响

  2. 表面能对多晶FeS2薄膜晶体择优取向的影响，栾兆菊，黄六一，采用电沉积及不同温度硫化处理制备了多晶FeS2薄膜，测定并计算了薄膜的晶体结构，取向度及表面能。结果表明，在较低温度硫化的FeS2�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-02
    • 文件大小：418kb
    • 提供者：weixin_38634610

  1. 衬底温度对脉冲激光沉积在Si衬底上的ZnCoO薄膜的影响

  2. 衬底温度对脉冲激光沉积在Si衬底上的ZnCoO薄膜的影响，姜守振，王传超，在不同的衬底温度下在n型Si（111）衬底上采用脉冲激光沉积的方法生长了（002）择优取向的具有室温铁磁性的Zn0.95Co0.05O薄膜。X射线衍射�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-07
    • 文件大小：550kb
    • 提供者：weixin_38673798

  1. Post annealing effect on optical and electrical properties of Ga-doped Zn1-xCdxO thin films

  2. 后退火工艺对Ga掺杂Zn1-xCdxO薄膜光学和电学性能的影响，段利兵，赵小如，本文采用溶胶-凝胶法制备了具有c轴择优取向的单相Ga掺杂Zn1-xCdxO薄膜，研究了后退火工艺（在真空和氮气氛中）对薄膜的光学和电学性�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-07
    • 文件大小：709kb
    • 提供者：weixin_38742460

  1. 烟酸体系中烟酸含量对镀银过程及镀层性能的影响

  2. 为了在316L不锈钢材质的还原炉内壁获得光亮镀银层,研究了从烟酸体系制备银镀层的工艺,采用电化学工作站研究了电沉积性能和镀层耐蚀性,采用热反射率测试仪测试了镀层反射率,通过XRD表征不同制备条件下所得镀层的相组成。结果发现,随着烟酸浓度的增大,电沉积电位越低,镀层晶粒越小;不同烟酸浓度得到的银镀层有不同的择优取向,随着镀液中烟酸浓度的升高,镀层的耐腐蚀性降低,热反射率降低;烟酸浓度对镀层的表面光亮度无明显影响,通过对比银镀层与不锈钢基体的热反射率,发现热反射率与材料本身有很大的关系。研究得知,在

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-06-20
    • 文件大小：445kb
    • 提供者：weixin_38592256

  1. 柔性衬底上ALD法低温制备的ZnO薄膜的光学和电学特性(英文)

  2. 以二乙基锌和水分别作为金属前驱体和反应物,利用原子层沉积方法(ALD)在柔性衬底上生长ZnO薄膜,讨论了生长温度对薄膜特性的影响。用AFM、XRD和HALL等对薄膜的表面形貌、晶体结构和电学性质进行表征,并且用PL光谱表征了其光学特性。实验结果表明,随着生长温度(低温下)的升高,薄膜的晶体质量和光学特性得到改善。当生长温度为170℃时,薄膜呈现良好的c轴择优取向,且具有较高的电子浓度(5.62×1019cm-3)和电子迁移率(28.2 cm2·V-1·s-1)。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-19
    • 文件大小：512kb
    • 提供者：weixin_38618746

  1. 具有（002）和（211）择优取向的PbPdO2超薄板的电子结构及其外部电场调制

  2. 具有（002）和（211）择优取向的PbPdO2超薄板的电子结构及其外部电场调制

  3. 所属分类：其它

  1. 铁电SBN薄膜电光系数的测量及其在波导中的应用

  2. 利用溶胶凝胶法在MgO(001)衬底上获得C轴择优取向的铁电铌酸锶钡(SBN)薄膜,主要介绍MgO(001)衬底上SBN60薄膜及掺入的K离子与Nb离子摩尔比例为1∶3的SBN60薄膜横向电光系数r51的测量，实验测得不掺K的SBN60薄膜r51值为37.6 pm/V，掺K的r51值为58.5 pm/V。并由此设计一种基于MgO(001)衬底上的马赫曾德尔型SBN60薄膜波导调制器，计算出在633 nm时，掺K比例为1∶3的此种波导调制器半波调制电压值为10 V，不掺K的半波电压值为16 V，结

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-05
    • 文件大小：778kb
    • 提供者：weixin_38707826

  1. 氧气放电辅助激光淀积原位制备高T

  2. 采用低压氧气放电辅助的激光淀积方法,原位外延生长出零电阻温度91K,临界电流密度105A/cm2的Y-Ba-Cu-O高温超导薄膜。扫描电镜和X光衍射分析结果表明,薄膜中超导相晶粒的生长具有c轴垂直于表面的择优取向。

  3. 所属分类：其它

  1. 含钴阳极氧化铝膜的磁致偏光特性

  2. 用电化学法制备了高度有序的多孔阳极氧化铝模板,选用CoSO4溶液为电解液,用交流电化学沉积法在多孔阳极氧化铝的柱形微孔内制备含钴纳米线有序阵列。分别用扫描电镜（SEM）、X射线衍射仪对多孔阳极氧化铝模板和纳米线阵列的微观形貌和结构进行分析，结果显示阳极氧化铝膜内确有钴生成，且钴纳米线中的晶粒在生长过程中有(100)晶面的择优取向。搭建了磁致偏振特性测试系统，对样品在大范围磁场下的退偏现象进行了测试。 结果表明，含钴阳极氧化铝膜具有磁致偏光效应，达到磁饱和或接近磁饱和时，样品的的偏振性能最优，随着

  3. 所属分类：其它

  1. Bi_(1.65)Zn_(1.0)Nb_(1.5)O_(7.225)陶瓷和薄膜的结构和介电性能对比

  2. 以立方焦绿石Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7(BZN)为配方基础,通过掺入过量10%的Bi2O3,形成Bi1.65Zn1.0Nb1.5O7.225非化学计量比分子式。采用固相反应法合成具有焦绿石立方结构的Bi1.65Zn1.0Nb1.5O7.225陶瓷,并采用脉冲激光沉积法在Pt/SiO2/Si(100)基片上制备其薄膜。对比研究了非化学计量比Bi1.65Zn1.0Nb1.5O7.225陶瓷和薄膜的结晶性能,微观形貌以及介电性能的差异。结果表明烧结的Bi1.65Zn1.0Nb1.5O7.225

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-24
    • 文件大小：429kb
    • 提供者：weixin_38517728

  1. 射频磁控溅射生长C轴择优取向AlN压电薄膜

  2. 采用射频磁控反应溅射工艺,在Si(400)衬底上制备了高c轴取向的AlN薄膜。用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜特征。研究了不同的Ar/N2比、衬底偏压、工作压强对AlN薄膜c轴择优取向的影响。研究了AlN薄膜在以氮终止的硅衬底和纯净硅衬底两种表面状态的生长机制,发现在以氮终止的硅衬底表面生长的AlN薄膜非常容易得到c轴择优取向的AlN薄膜。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-20
    • 文件大小：628kb
    • 提供者：weixin_38591011

  1. 飞秒脉冲激光沉积Si基a轴择优取向的钛酸铋铁电薄膜

  2. 在钛酸铋(Bi4Ti3O12)薄膜的制备过程中容易获得晶粒c轴垂直于基片表面的薄膜,而压电和铁电存储器主要利用a轴的自发极化分量,因而制备a轴择优取向的Bi4Ti3O12铁电薄膜具有特别的意义。采用飞秒脉冲激光作用在钛酸铋陶瓷靶上,采用Si(111)作为衬底,制备了a轴择优取向的钛酸铋薄膜。采用X射线衍射(XRD)的薄膜附件和场发射扫描电镜(FSEM)研究了薄膜的结构和形貌;采用傅里叶红外光谱仪测量了室温(20 ℃)下在石英基片上沉积的样品的光学特性;室温下沉积的钛酸铋薄膜呈c轴择优取向,晶粒的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-12
    • 文件大小：912kb
    • 提供者：weixin_38653443

  1. 脉冲激光沉积技术沉积温度对PZT/LSAT薄膜生长取向的影响

  2. 采用固相法分别制备了标准摩尔配比和铅过量10%的两种靶材,并利用脉冲激光沉积技术(PLD)在镧锶铝钽(LaSrAlTaO3,LSAT)单晶衬底上成功制备了锆钛酸铅(Pb(Zr0.3Ti0.7)O3,PZT)铁电薄膜,在550～750 ℃沉积温度范围内研究了PZT薄膜的生长取向和铅含量对薄膜生长取向的影响。利用X射线衍射(XRD)仪和原子力显微镜(AFM)表征了薄膜生长取向和表面形貌。XRD测量表明在标准摩尔配比情况下薄膜生长从550 ℃近似c轴取向逐渐过渡到750 ℃近似a轴取向,而在铅过量情况

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-12
    • 文件大小：929kb
    • 提供者：weixin_38537541

  1. 基材晶体取向对激光多层涂覆微观组织的影响

  2. 采用镍基合金粉,研究了激光多层涂覆过程中基材晶体取向对涂层凝固组织的影响规律.实验发现,在适当的工艺条件下,若基材表层的晶体取向与合金择优取向相近或一致时,可得到与基材晶体取向一致的涂覆层,整个涂层中呈现细小、规整且与基材组织连续的定向柱状枝晶,仅顶端存在一薄层取向改变的枝晶生长区.而当基材表层晶体取向与合金择优取向不同时,涂层中得到的是取向不规则的细小枝晶.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：179kb
    • 提供者：weixin_38724106
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