我们考虑了临界希格斯膨胀，即，希格斯膨胀在一个较小的场值处具有一个上升的拐点，该场值小于由非最小耦合引力引起的高原的场值。 已经提出，这种配置与当前的CMB对膨胀的观测约束以及原始黑洞产生兼容，考虑到所观测暗物质的全部或一部分。 我们在研究模型时要考虑到对希格斯有效势的次次至领先次序（NNLO）修正：此类修正对于减少与计算相关的理论误差非常重要。 我们发现，在相关低能参数的3σ窗口中，即强耦合和希格斯质量（顶部质量跟随着拐点），拐点处的电势是如此之大（因此， 通货膨胀期间的哈勃常数）违反了张量与