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推挽式变压器公式,推挽式变压器公式
介绍推挽式变压器计算公式,介绍推挽式变压器计算公式,介绍推挽式变压器计算公式
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-05-15
文件大小:31kb
提供者:
rengyb2010
上拉下拉推挽式图文介绍.docx
上拉下拉推挽式图文介绍.docx
所属分类:
电信
发布日期:2012-03-22
文件大小:480kb
提供者:
herangping
500w推挽式开关电源设计
500w推挽式开关电源,整套设计思路及电路设计原理
所属分类:
硬件开发
发布日期:2015-07-24
文件大小:880kb
提供者:
qq_26713575
变压器隔离推挽式开关电源PSpice仿真设计.pdf
变压器隔离推挽式开关电源PSpice仿真设计pdf,
所属分类:
其它
发布日期:2019-09-14
文件大小:726kb
提供者:
weixin_38743602
推挽式开关电源工作原理及电路图.docx
推挽式开关电源工作原理及电路图.docx
所属分类:
其它
发布日期:2012-05-18
文件大小:28kb
提供者:
common3141
一款新型基于推挽式结构的射频功率放大器
基于推挽式结构设计了一款新型射频功率放大器, 分析了推挽式结构的工作原理, 构建了输入输出无损耗匹配网络。
所属分类:
嵌入式
发布日期:2011-11-29
文件大小:755kb
提供者:
wswyjbc
推挽式开关稳压电源及电路图
推挽式开关电源的主回路如图2-12所示,它由两只晶体管T1和T2构成推挽功放级,通过中心抽头式变压器T1推动负载,次级负载由于T1和T2轮流导通而被接到T2的初级绕组Np上。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-16
文件大小:17kb
提供者:
weixin_38724919
推挽式开关电源工作原理及电路图
工作原理:推挽式开关电源的典型电路如图一所示。它属于双端式变换电路,高频变压器的磁芯工作在磁滞回线的两侧。电路使用两个开关管VT1和VT2,两个开关管在外激励方波信号的控制下交替的导通与截止,在变压器T次级统组得到方波电压,经整流滤波变为所需要的直流电压。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-13
文件大小:327kb
提供者:
weixin_38552536
推挽式开关电源的优缺点
由于推挽式变压器开关电源中的两个控制开关K1和K2轮流交替工作,其输出电压波形非常对称,并且开关电源在整个工作周期之内都向负载提供功率输出,因此,其输出电流瞬间响应速度很高,电压输出特性很好。推挽式变压器开关电源是所有开关电源中电压利用率最高的开关电源,它在输入电压很低的情况下,仍能维持很大的功率输出,所以推挽式变压器开关电源被广泛应用于低输入电压的DC/AC逆变器,或DC/DC转换器电路中。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-12
文件大小:80kb
提供者:
weixin_38586200
推挽式开关电源工作原理及电路图
工作原理:推挽式开关电源的典型电路如图一所示。它属于双端式变换电路,高频变压器的磁芯工作在磁滞回线的两侧。电路使用两个开关管VT1和VT2,两个开关管在外激励方波信号的控制下交替的导通与截止,在变压器T次级统组得到方波电压,经整流滤波变为所需要的直流电压。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-12
文件大小:361kb
提供者:
weixin_38528459
CCFL推挽式缓冲电路
文章主要介绍CCFL推挽式缓冲电路,感兴趣的朋友可以看看。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-29
文件大小:70kb
提供者:
weixin_38599545
怎样设计一款隔离型、高频、推挽式 DC/DC 转换器
文章介绍了自己怎样设计出怎样设计一款隔离型、高频、推挽式 DC/DC 转换器的方法。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-27
文件大小:94kb
提供者:
weixin_38711110
电源技术中的推挽式开关电源变压器参数的计算
推挽式开关电源使用的开关变压器有两个初级线圈,它们都属于励磁线圈,但流过两个线圈的电流所产生的磁力线方向正好相反,因此,推挽式开关电源变压器属于双激式开关电源变压器;另外,推挽式开关电源变压器的次级线圈会同时被两个初级线圈所产生的磁场感应,因此,变压器的次级线圈同时存在正、反激电压输出;推挽式开关电源有多种工作模式,如:交流输出、整流输出、直流稳压输出,等工作模式,各种工作模式对变压器的参数要求会有不同的要求。 1-8-1-4-1.推挽式开关电源变压器初级线圈匝数的计算 由于推挽式变
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-15
文件大小:91kb
提供者:
weixin_38640072
电源技术中的推挽式开关电源的优缺点
推挽式电路是一种放大电路,它按功放输出级放大元件的数量,可以分为单端放大器和推挽放大器。 单端放大器的输出级由一只放大元件(或多只元件但并联成一组)完成对信号正负两个半周的放大。单端放大机器只能采取甲类工作状态。 推挽放大器的输出级有两个“臂”(两组放大元件),一个“臂”的电流增加时,另一个“臂”的电流则减小,二者的状态轮流转换。对负载而言,好象是一个“臂”在推,一个“臂”在拉,共同完成电流输出任务。尽管甲类放大器可以采用推挽式放大,但更常见的是用推挽放大构成乙类或甲乙类放大器。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-22
文件大小:91kb
提供者:
weixin_38621150
模拟技术中的推挽式甲类功放输出功率及损耗分析
甲类功放不存在交越失真,音频信号可以完整地传输。甲类功放是发烧友追求的目标。一部甲类功放,一其输出功率是多少?功率损耗是多少?这些都是甲类功放制作的前期理论计算。甲类功放多采用NPN与PNP配对的推挽式工作方式。 推挽式甲类功放电路,可以看成是由2个单管式甲类射极器组成。 正电源的NPN管与负电源的PNP管分别工作于甲类状态,对整个音频信号进行放大。输出到音箱。 推挽式甲类功放在进行组装调试前一定要知道,做多大的功率?需要多大静态电流?供应电流是多少?损耗是多少?这方面的资料难
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-21
文件大小:224kb
提供者:
weixin_38651812
Linear推出推挽式DC/DC变压器驱动器LT3999
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation)推出单片推挽式隔离型DC/DC变压器驱动器 LT3999,该器件具备两个限流值为1A的电源开关。LT3999在2.7V至36V的输入电压范围内工作,面向功率级高达15W的应用,可产生一个宽范围的输出电压。这使该器件非常适合汽车、工业、医疗和军事应用。 该器件采用可编程占空比及变压器匝数比设定输出电压。数据表中显示的几款现成有售的变压器简化了设计。开关频率可调节在50kHz至1MHz,也可同步至一个外部时钟。LT39
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-19
文件大小:73kb
提供者:
weixin_38553275
CCFL推挽式缓冲电路
DS3984, DS3988, DS3881, DS3882, DS3992和DS3994为冷阴极荧光灯(CCFL)控制器,它们使用推挽结构来产生驱动荧光灯所需的高压交流波形。在推挽式驱动器中,升压变压器的寄生电感与n沟道功率MOSFET的寄生输出电容组成了一个谐振回路,能产生不期望的尖峰电压。高压尖峰会增加功率MOSFET承受的应力,同时也会增大系统产生的电磁干扰(EMI)。本应用笔记描述了如何用一个简单的电阻-电容(RC)网络来抑制该尖峰电压。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-19
文件大小:126kb
提供者:
weixin_38681646
电源技术中的基于自激推挽式小型化二次电源的设计
0 引言 在数模混合电路系统中,需要多个电源供电,为了减小外界供电电源的数量,实现系统供电电路的小型化。本文基于电流反馈型自激推挽电路设计出了+10V,200mA和-10V,100mA输出的电源,+10V除了给电路系统的模拟芯片供电外还要给单片及供电的电压调节芯片供电,-10V给模拟芯片供电,实现了供电系统的小型化和低成本。 1 自激推挽式直流变换器的基本原理: 自激推挽式直流变换器的基本电路如图1所示。参照图1,当接通输入直流电源Ui后,就会在分压电阻R2上产生一个电压,该电
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-11
文件大小:218kb
提供者:
weixin_38738783
模拟技术中的RFMD发布针对多重CATV基础设施的推挽式放大器
RF Micro Devices, Inc.(RFMD)推出推挽式(push-pull)放大器产品线,包括CGR-0118Z、CGR-0218Z、CGA-1518Z及CGA-7718Z,专门针对多重CATV基础设施应用而设计。其中CGA-1518Z及CGA-7718Z适合前向路径、下游应用,而CGR-0118Z与CGR-0218Z则适合返回路径、上游应用。 RFMD CGA/CGR产品系列的每款放大器均运用了该公司专利的HBT8D InGaP HBT制程技术,结合“推挽式”架构,提供了最佳
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-09
文件大小:49kb
提供者:
weixin_38637884
元器件应用中的CCFL推挽式对电路的缓冲
摘要:DS3984, DS3988, DS3881, DS3882, DS3992和DS3994为冷阴极荧光灯(CCFL)控制器,它们使用推挽结构来产生驱动荧光灯所需的高压交流波形。在推挽式驱动器中,升压变压器的寄生电感与n沟道功率MOSFET的寄生输出电容组成了一个谐振回路,能产生不期望的尖峰电压。高压尖峰会增加功率MOSFET承受的应力,同时也会增大系统产生的电磁干扰(EMI)。本应用笔记描述了如何用一个简单的电阻-电容(RC)网络来抑制该尖峰电压。 无抑制时的漏极电压 图1详细
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-18
文件大小:179kb
提供者:
weixin_38690508
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