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  1. 基于MFC的简单数字图像处理程序源代码

  2. 数字图像处理的上机作业,老实说很好,现在还不是很完善,以后会上传完善后的资源,我QQ:294550446,欢迎加我好友。
  3. 所属分类:C++

    • 发布日期:2009-05-15
    • 文件大小:450560
    • 提供者:xiangshanxue
  1. 基于绘制_检出的矢量数据栅格化方法研究

  2. 对于前人提出但未被重视的绘制
  3. 所属分类:嵌入式

    • 发布日期:2011-04-21
    • 文件大小:317440
    • 提供者:zz07270104
  1. 反锐化掩模法在简牍文字增强中的应用.pdf

  2. 图像增强处理中反锐化掩膜算法的研究,经典算法与改进算发给。
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2011-05-07
    • 文件大小:125952
    • 提供者:jijiezhizhu
  1. 像元二分法反演植被覆盖度的NDVI max 和NDVI min取值问题初步研究

  2. 像元二分法反演植被覆盖度的NDVI max 和NDVI min取值问题初步研究,陈绪志,林长伟,快速而较准确地获得NDVI max和NDVI min参数,是像元二分法提取植被覆盖度的关键。借鉴NDVI max 和NDVI min经验值,掩膜NDVI图中像元值大于1和�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-02-24
    • 文件大小:385024
    • 提供者:weixin_38516956
  1. 掩板法构筑有序纳米阵列结构并研究其光学性质

  2. 掩板法构筑有序纳米阵列结构并研究其光学性质,常玲霞,叶顺盛,本文结合胶体晶体和氧气等离子刻蚀技术,通过膜转移的方法在聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)/玻璃基底上成功制备了金多孔膜做掩板。利用该掩�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-02-03
    • 文件大小:1032192
    • 提供者:weixin_38610682
  1. 基于波前分割法的接近式光刻掩膜版局部优化

  2. 基于波前分割法的接近式光刻掩膜版局部优化,潘攀,李木军,针对接近式紫外光刻图形转移中的曝光形状失真问题,采用波前分割的方法对掩模图形上的波前进行区域划分,并利用光场相干叠加相互
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-01-18
    • 文件大小:483328
    • 提供者:weixin_38687218
  1. 智能卡的基本功能结构

  2. 顾名思义,这种类型的存储器只能读取而不能写入。存储器不需要加电来保持数据,因为在芯片里数据是以“硬连线”方式形成的。   图1  ROM的基本功能结构   智能卡的ROM中存储有操作系统程序以及各种测试和诊断程序。这些程序是在芯片制造时采用掩膜法写进芯片里的。ROM掩膜根据程序代码制成,然后用光刻工艺把程序代码 。“烧”到芯片里。因为,数据只能在制造期间写进ROM,它们对同一批次的所有芯片来说都是相同的。ROM的功能结构可参看图1,具体照片在图2中。   图2   一个ROM单元的
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-14
    • 文件大小:171008
    • 提供者:weixin_38694141
  1. 意法半导体推出世界第一个90nm内置闪存的安全型微控制器

  2. 意法半导体推出一个新的内置闪存的安全型微控制器(MCU),该产品是世界第一个采用90nm (90纳米)制造工艺的微控制器。ST21F384是ST成功的ST21智能卡平台内的第一款安全型微控制器,是为2.5G和3G移动通信优化的产品。新产品改用闪存做程序存储器,淘汰了以前的掩膜ROM,提高了产品制造的灵活性,缩短了从设计到制造的准备时间,同时90nm技术还提高了成本效益。   新的ST21F系列产品使卡制造商能够对飞速变化的手机市场需求做出快速的注重成本效益的反应,然后在制造工序的智能卡个性化阶
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-04
    • 文件大小:67584
    • 提供者:weixin_38606656
  1. OpenCV实现平均背景法

  2. 平均背景法的基本思想是计算每个像素的平均值和标准差作为它的背景模型。 平均背景法使用四个OpenCV函数: cvAcc(),累积图像; cvAbsDiff() ,计算一定时间内的每帧图像只差; cvInRange(), 将图像分割成前景区域和背景区域; cvOr(), 将不同的彩色通道图像中合成为一个掩膜图像 代码: /* 平均背景法 */ #include "highgui.h" #include "cv.h" #include #include //为不同的临时指针图像和统
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-20
    • 文件大小:46080
    • 提供者:weixin_38716556
  1. 一步掩膜法制备ZnO纳米线忆阻器

  2. 一步掩膜法制备ZnO纳米线忆阻器
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-26
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38653694
  1. 基于局部梯度和复杂度的反锐化掩膜法

  2. 分析了反锐化掩膜法的增强问题,针对传统算法的噪声敏感,易在强边缘处过冲,且对灰度变化较小的微弱细节锐度不足的缺陷,提出了一种改进的基于灰度变化强度和频率的自适应图像增强算法。利用非线性形态学重构滤波器获得模糊化图像。打破了传统算法中仅依赖图像灰度变化强度定义权重函数的思想。对于图像灰度剧变区和级别丰富区,根据局部梯度和局部复杂度共同组建新的增益函数,动态调整图像边缘和微小细节部分的权值,提升细节特征的表现力。实验结果表明,该算法能更好地利用图像的相关信息,比传统算法能更有效地锐化细节,保持较高的
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-10
    • 文件大小:2097152
    • 提供者:weixin_38531630
  1. 采用声光元件的激光标记系统

  2. 迄今为止的激光标记系统,有将YAG或CO2激光束聚焦,用多角棱镜扫描激光束的扫描法和用TEA CO2激光等直径大的光束复制金属板掩膜文字的掩膜法。但是,它们都有缺点:前者速度慢,标记时工件必须停顿下来;而后者,当字符改换时,必须改换掩膜。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-04
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38718262
  1. 基于等效膜层法的极紫外光刻含缺陷掩模多层膜仿真模型

  2. 建立了一个基于等效膜层法的极紫外光刻含缺陷掩模多层膜仿真模型。通过等效膜层法求解含缺陷多层膜无缺陷区域和含缺陷区域不同位置的反射系数,准确快速地仿真含缺陷多层膜的衍射谱。与波导法严格仿真相比,200 nm 尺寸时仿真速度提高9倍左右。与改进单平面近似模型和基于单平面近似的简化模型相比,该模型对衍射谱和空间像的仿真精度有了较大提高,并且仿真精度随缺陷尺寸和入射角的变化很小。以+1 级衍射光为例,6°入射时,与改进单平面近似模型和简化模型相比,该模型对衍射谱振幅的仿真误差分别减小了77%和63%。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-02
    • 文件大小:4194304
    • 提供者:weixin_38582716
  1. 利用严格耦合波方法研究多层介质膜光栅掩膜特性

  2. 从理论和实验上研究了多层介质膜光栅掩膜特性,用严格耦合波(RCW)法对由光栅掩膜槽形和多层膜介质基底引起的衍射效率的变化进行了理论分析,计算得出不同形貌下的光栅掩膜的反射0级光谱衍射效率分布。在实验检测方法上,采用了0级反射光衍射效率分布来进行槽形判断,并将实验结果和理论计算进行了对比。结果证明使用该方法研究光栅掩膜形貌在一定程度上是有效的。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-12
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38713393
  1. 只读式超分辨光盘的膜层设计和分析

  2. 超分辨技术是一种无需减小记录波长或增大数值孔径而提高存储密度的方法.Ge-Sb-Te是一种良好的相变光存储材料,在超分辨光盘中可作为掩膜.利用多层膜反射率的矩阵法计算了掩膜为Ge2Sb2Te5薄膜的超分辨只读式光盘的光学参数与各膜层厚度之间的关系,最后得到了较为理想的膜层厚度匹配.采用磁控溅射法制备了只读式超分辨光盘,测量了光盘的光学性质.
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-11
    • 文件大小:149504
    • 提供者:weixin_38545768
  1. 外加电场极化法制备LiNbO3周期性畴反转的工艺研究

  2. 对用外加电场极化法实现铁电畴周期性极化反转LiNbO3晶体(PPLN)的工艺进行了研究,首先采用光刻工艺技术在Z切厚度为0.5mm的LiNbO3晶体的正畴面和负畴面上刻蚀出与掩膜板完全对应的金属Al电极,然后在两电极上施加一系列的脉冲电压;在实验研究中,通过控制脉冲幅度、脉冲宽度、脉冲个数和脉冲电流,确定了最佳实验参量,并成功地制备出了周期为9.5μm的三阶准相位匹配铁电畴周期性极化反转LiNbO3晶体。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-11
    • 文件大小:285696
    • 提供者:weixin_38701952
  1. 超分辨近场结构中二元共晶合金掩膜的工作机制

  2. 超分辨近场结构(super-RENS)技术通过在传统光盘结构中插入掩膜结构而实现近场超分辨,是目前最具实用化前景的超高密度光存储技术之一,其中掩膜层的近场光学特性是决定其光存储性能的关键。利用三维时域有限差分法(3D-FDTD)对合金掩膜的近场光强分布进行了数值仿真和分析,提出二元共晶合金薄膜在激光作用下形成的规则微结构可能是以其作为掩膜层的超分辨近场结构光盘产生较高信噪比(SNR)的原因。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-10
    • 文件大小:590848
    • 提供者:weixin_38666208
  1. 棱镜耦合法确定条形波导的渐变折射率分布

  2. 提出了由棱镜波导耦合装置测量得到的条形波导有效模折射率确定其二维(2D)折射率分布的方法,其中条形波导样品是在磷酸盐玻璃基底上用离子交换方法制备的,采用不同交换时间和不同掩膜开口宽度制备出不同的折射率渐变分布条形波导。计算过程是先给定条形波导二维折射率分布的拟合函数及参数,按照Wentzel-Kramer-Brillouin(WKB)方法和有效折射率方法,由二维折射率分布的拟合函数计算出条形波导的有效模折射率,并将计算出的有效模折射率与测量值进行比较,通过调整修改折射率分布拟合函数中的参数,使有
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-10
    • 文件大小:3145728
    • 提供者:weixin_38671048
  1. In掩膜层超分辨光盘的读出研究

  2. 在超分辨光存储技术中,掩膜层材料是决定其性能优劣的关键。In薄膜可以作为掩膜层用来实现超分辨信息点的动态读出。采用直流磁控溅射法制备不同厚度的In薄膜,用台阶仪测量薄膜厚度随时间的变化关系,用原子力显微镜观察不同厚度薄膜样品的表面形貌。在预刻有尺寸为390 nm信息点的光盘盘基上制备In薄膜,从而形成In掩膜超分辨光盘。利用光盘动态测试仪进行动态读出,最高读出载噪比(CNR)达到26 dB。为了进一步分析超分辨动态读出的物理机理,采用变温椭圆偏振光谱仪测量In薄膜在不同温度下的光学常数,得到In
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-09
    • 文件大小:2097152
    • 提供者:weixin_38520258
  1. 皮秒激光-化学复合法制备高效减反射晶硅表面微结构研究

  2. 基于皮秒激光的“冷加工”特点,进行了用皮秒激光辐照结合快速化学腐蚀(NaOH 溶液:质量分数为4%,不大于3 min,80 ℃水浴)调控工艺制备高效减反射晶硅表面微结构的研究,在400~1000 nm 波长的宽光谱范围内,获得了微-纳双结构微孔阵列和圆顶锥形周期性阵列两种减反射表面,前者的平均反射率低于5%,后者的平均反射率低于10%。制备过程中工艺可控性强,无需掩膜和真空环境。研究了激光工艺参数和化学腐蚀参数的不同调控匹配在微结构单元形成中的作用机制,分析了所制备表面微结构的减反射机理,为太阳
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-06
    • 文件大小:4194304
    • 提供者:weixin_38641111
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