研究了可在金属有机化学气相沉积（MOCVD）过程中改变In的掺入并影响蓝紫色InGaN / GaN多量子阱（MQW）的电致发光（EL）性能的生长参数。 发现在InGaN阱生长期间适当增加三甲基铟（TMIn）通量可以增加EL强度和EL峰值波长。 然而，当阱的生长温度从810℃降低到800℃时，尽管EL峰值波长增加，但是EL强度降低。 X射线衍射结果表明，界面粗糙度在确定InGaN / GaN MQWs的EL强度中起着重要作用。 建议通过适当增加TMIn通量并在相对较高的生长温度下生长具有高结构质量