在有效质量近似的框架内，已对变化的激光场对共混锌（ZB）GaN / AlGaN量子阱（QW）中基态供体结合能的影响进行了研究。 数值结果表明，ZB GaN / AlGaN QW中的施主结合能高度依赖于QW结构参数和Al组成。 激光场效应对阱宽度小且Al含量低的QW内部杂质的施主结合能具有更大的影响。 但是，对于位于QW阱边缘附近的杂质，在ZB GaN / AlGaN QW中，施主结合能对Al组成，阱宽度和激光场强度的变化不敏感。 特别是，本文还研究了激光场与量子约束对杂质态的竞争作用。