通过磁控溅射Craft.io将具有不同底层的SmCo基薄膜沉积在650 1C的Si衬底上。 研究了不同底层对晶体结构和磁性能的影响。 结果表明，Al，Cu和Ag底层不能对晶体结构和磁性能产生正贡献。 对于具有Mo和Cr底层的薄膜而言，这是非常不同的，后者具有很好的取向生长和改善的磁性能。 尤其是，对于具有Mo底层的薄膜，观察到3.52 kOe的大固有矫顽力和6.31 MGOe的最大能量乘积，从高温时效结果来看，这些薄膜适合用于已开发的微磁器件。