光电二极管采用2μm N阱CMOS工艺中的N阱-P衬底pn结来作光电二极管［51］。系统未加优化时，780 nm波长下3 dB带宽大于1.5 MHz，5V偏压下漏电流密度为0.5 pA/mm2，响应度R=0.5 A/W（η＝70%）。   为了能够连续观察PN型光电二极管的光生电流，可以让其工作在存储模式。光电二极管的pn结电容可以被用来存储光生电荷，并在一定周期之后将它们读出，如图1所示［52］。           图1  工作在放电存储模式的PN型光电二极管   为了实现这个目的