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表贴式整流管1n4007
m1~m7表贴式整流管, Ideally Suited for Automatic Assembly Low Forward Voltage Drop Surge Overload Rating to 30 A Peak Low Power Loss Built-in Strain Relief Plastic Case Material has UL Flammability Classification Rating 94V-o
所属分类:
硬件开发
发布日期:2012-07-30
文件大小:340kb
提供者:
granhon
三极管,场效应管参数大全
半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波
所属分类:
C
发布日期:2008-09-15
文件大小:206kb
提供者:
noraml
整流管的资料包括电路图,电压电流范围等
部分整流管的资料:包括电路图,电压电流范围等
所属分类:
专业指导
发布日期:2008-09-25
文件大小:485kb
提供者:
hanyangc
JB_T 8949.1-1999; 电流小于100A普通整流管.pdf
JB_T 8949.1-1999; 电流小于100A普通整流管pdf,JB_T 8949.1-1999; 电流小于100A普通整流管
所属分类:
其它
发布日期:2019-09-24
文件大小:224kb
提供者:
weixin_38744435
JB_T 8949.2-1999; 电流大于100A普通整流管.pdf
JB_T 8949.2-1999; 电流大于100A普通整流管pdf,JB_T 8949.2-1999; 电流大于100A普通整流管
所属分类:
其它
发布日期:2019-09-24
文件大小:243kb
提供者:
weixin_38743602
基于同步整流技术的反激变换器
基于同步整流技术的反激变换器,张望,于月森,反激变换器应用广泛,采用同步整流技术能够很好的提高反激变换器效率,同时为使同步整流管的驱动电路简单,采用分立元件构成驱动
所属分类:
其它
发布日期:2020-03-11
文件大小:305kb
提供者:
weixin_38657835
小功率整流管的设计
通过设计对电力电子技术的了解,并熟悉相关的电路设计,最基本的设计思想,了解一些简单的整流和电路的保护.想要最后整体图的可以找我要
所属分类:
专业指导
发布日期:2012-03-14
文件大小:232kb
提供者:
z328862949
一种串联模块电源整流管烧毁情况的讲解
相信很多设计者都有利用模块电源进行项目设计的经验,而在设计过程中必定会遇到这样或那样的问题。本文将以实例作为切入点,为大家讲解一种串联式模块电源中整流管烧毁的情况分析。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-31
文件大小:45kb
提供者:
weixin_38685455
详解:串联模块电源整流管烧毁原因
相信很多设计者都有利用模块电源进行项目设计的经验,而在设计过程中必定会遇到这样或那样的问题。本文将以实例作为切入点,为大家讲解一种串联式模块电源中整流管烧毁的情况分析。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-27
文件大小:44kb
提供者:
weixin_38641876
整流管尖峰吸收电路探讨
Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题,觉得大家在处理此类尖峰问题上仍过于传统,其实此处用RCD吸收会比用RC 吸收效果更好,用RCD吸收,其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配,可以完全吸收,几乎看不到尖峰电压),而且吸收损耗也更小。
所属分类:
其它
发布日期:2020-08-02
文件大小:68kb
提供者:
weixin_38701156
整流管与稳压管的参数和选择原则
电子爱好者经常要用二极管。二极管具有单向导电性,主要用于整流、稳压和混频等电路中。本文介绍整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则。
所属分类:
其它
发布日期:2020-08-19
文件大小:51kb
提供者:
weixin_38592256
开关管和整流管功耗计算方法
导读: 本文详细介绍了功率开关管和整流管功耗的计算方法。
所属分类:
其它
发布日期:2020-08-27
文件大小:32kb
提供者:
weixin_38530995
开关管和整流管功耗计算方法
本文详细介绍了功率开关管和整流管功耗的计算方法。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-23
文件大小:32kb
提供者:
weixin_38588592
整流管尖峰吸收电路探讨
Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题,觉得大家在处理此类尖峰问题上仍过于传统,其实此处用RCD吸收会比用RC 吸收效果更好,用RCD吸收,其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配,可以完全吸收,几乎看不到尖峰电压),而且吸收损耗也更小。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-20
文件大小:134kb
提供者:
weixin_38750829
开关管&整流管功耗计算方法
分析开关管和整流管功耗的计算方法。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-24
文件大小:31kb
提供者:
weixin_38714370
电源技术中的同步整流管的主要参数/SR的阻断电压
与SBD相比,SR可以承受更高的阻断电压。 表1 给出了UMOS管和VMOS管两种结构的性能参数。 表1 UMOS管和VMOS管结构的性能参数比较 由表1 可知,用做SR的MOS管比较好的器件是UMOS。而且,对同一系列的SR,额定阻断电压越高,RDS(on)越大。 欢迎转载,信息来自维库电子市场网(www.dzsc.com) 来源:ks99
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-16
文件大小:43kb
提供者:
weixin_38536841
电源技术中的同步整流管的主要参数/SR的体二极管恢复时间trr
功率MOS管有寄生的二极管,称为体二极管,其恢复时间trr与存储在体二极管内的多余电荷成正比。一般功率MOS管的体恢复时间trr约为200ns,希望皿体二极管的trr也和SBD一样,能控制在10 ns左右。 此外,体二极管的通态损耗与其正向压降UF成正比,一般UF≈1V,远大于功率MOS管本身的正向压降。因此,为了减少寄生二极管产生的附加损耗,在工作过程中应使负载电流尽量避免流过SR的体二极管,即使有电流流过,也要尽量减少在体二极管中的流通时间,如果体二极管能保持在阻断状态,SR可以很快由
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-16
文件大小:31kb
提供者:
weixin_38655990
电源技术中的同步整流管的主要参数/R的功耗
SR的功耗,可以用式(7-5)近似表示: 式中 第一项——正向通态损耗,其中IFrms为正向电流有效值; RDS(on)——功率MOS管的通态电阻; 第二项——开关过程中功率MOS管输入电容Cin充放电引起的损耗,其中f为开关频率; Cin——等效输人电容; UGs——门极驱动电压。 由式(7-5)可知,SR的功耗与RDS(on)和Cin有关,在工程上用两者的乘积表示SR的损耗大小: 式
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-16
文件大小:54kb
提供者:
weixin_38545961
元器件应用中的用整流二极管代替电子管的整流管
在电子管设备中,整流管是比较容易损坏的电子管(因其工作电压高、电流大)。当整流电子管损坏时,如果用同样的电子管去代换,在目前来讲一是较难买到,二是价钱也比较贵。因此,完全可以用市场上很便宜地买到1N4007整流二极管来代替常用的整流电子管。例如可用两只1N4007来代替5Y3整流管时,可按图所示的管脚接线,把两只1N4007二极管焊在5Y3电子管的管脚上(除去5Y3电子管的玻璃壳和内部电极)。注意焊接1N4叨7二极管时不要弄错电极。另外,还可以用热缩管把1N4叨7的管脚引线套起来,防止管脚问短路
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-23
文件大小:51kb
提供者:
weixin_38686080
元器件应用中的整流管与稳压管的参数和选择原则
电子爱好者经常要用二极管。二极管具有单向导电性,主要用于整流、稳压和混频等电路中。本文介绍整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则。 (一)整流二极管的主要参数 1.IF— 最大平均整流电流。 指二极管期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值,并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。 2.VR— 最大反向工作电压。 指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值,则反向电流(IR)剧
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-10
文件大小:52kb
提供者:
weixin_38744778
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