提出了一种新型的SOI高压器件互补界面电荷岛结构（CNI SOI）及其模型。CNISOI的特点是在电介质掩埋层上下界面上等距的高浓度n〜+区。应用于器件，在顶部和底部界面的两个n〜+区域上形成互补的空穴和电子岛。引入的界面电荷有效地增加了电介质掩埋层的电场（E_I ...