洁净的晶片是芯片生产全过程中的基本要求，但并不是在每个高温下的操作前都必须进行。一般说来，全部工艺过程中的高达20%的步骤为晶片清洗。25在这里将要描述的清洗工艺，将贯穿芯片生产的全过程。 半导体工艺的发展过程在很多方面可以说是清洗工艺随着对无污染晶片需求不断增长而发展的过程。晶片表面有四大常见类型的污染，每一种在晶片上体现为不同的问题，并可用不同的工艺去除。这四种类型是： 1． 颗粒 2． 有机残余物 3． 无机残余物 4． 需要去除的氧化层 通常来说，一个晶片清洗的工艺或一系列的工艺，必须

无机残余物是那些不含碳的物质。这样的例子有无机酸，如盐酸，氢氟酸。它们会在晶片制造的其它工序中介绍。关于晶片表面有机物和无机物的去除，有一系列的清洗方案，将在下面的部分介绍。   

硫酸。一种常见的清洗溶液是热硫酸添加氧化剂。它也是一种通常的光刻胶去除剂（见第8章）。在90~125 OC的范围中，硫酸是一种非常有效的清洗剂。在这样的温度下，它可以去除晶片表面大多数无机残余物和颗粒。添加到硫酸中的氧化剂用来去除含碳的残余物，化学反应将碳转化成二氧化碳，后者以气体的形式离开反应池： C + O2 à CO2 （气体） 一般使用的氧化剂有： 过氧化氢（H2O2），亚硫酸氨 ，硝酸（HNO3），和臭氧（O3） 硫酸和过氧化氢。过氧化氢和硫酸混合制成一种常见的清洗液，用于各个工艺过程