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显示/光电技术中的半导体中的光吸收
半导体中的光吸收主要包括本征吸收、激子吸收、晶格振动吸收、杂质吸收及自由载流子吸收[1]。当入射光能量大于半导体材料禁带宽度时,价带中电子便会被入射光激发,越过禁带跃迁至导带而在价带中留下空穴形成电子-空穴对。这种由于电子在价带和导带的跃迁所形成的吸收过程称为本征吸收。大量实验证明这种价带电子跃迁的本征吸收是半导体中最重要的吸收,也是光电探测器工作的理论基础。 爱因斯坦和普朗克的理论使人们认识到光不仅具有波动性也具有粒子性,即波粒二象性。光由光子组成,一束光就是—系列的光子流。光子的引入很
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-14
文件大小:142336
提供者:
weixin_38744557
显示/光电技术中的光电探测器理论基础
光电探测器是指能将入射光能量转化为电信号的一类光电子器件。为了探测入射光,人们需要先将光信号转化为与入射光强度成比例的电信号以方便测量。例如,在光纤通信系统中,人们将需要传输的语音图像等数据信息调制成激光信号,激光信号经过光纤传输到达接收端后便由光电探测器将光信号探测出来转化为电信号。电信号再经过接收器电路放大、整形、处理之后就还原到我们需要的语音、图像等数据信息。 光电探测器的诞生可追溯到1873年,英国的W.Smith发现硒(Se)具有光电导效应,即硒的电阻值随入射光强度的增大而减小。
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-14
文件大小:41984
提供者:
weixin_38702726