MSM是一种平面结构，结构简单，易于和场效应管单片集成实现OEIC光电子集成回路。如图1所示。未掺杂的GaAs外延生长在半绝缘衬底上，接着在GaAs表面淀积金属形成肖特基二极管结构，相互错开的电极各自加正负电压使电极间的GaAs耗尽，入射光在这个耗尽区被吸收并在电场作用下向正负电极漂移形成光电流。通过优化金属电极数目和间距可以在适当的偏压下使金属电极间完全耗尽，从而既提高速度又提高响应度。这种结构还具有以下优点：结构简单易于制作且成品率高；寄生电容低，工作速度可以达到很高。 　　图1  M